半導体装置

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-028530
公開番号（公開出願番号）：特開2010-186805
出願日： 2009年02月10日
公開日（公表日）： 2010年08月26日
要約：

【課題】IGBTの特性を低下させることなく、同一半導体基板上に併設される逆並列接続ダイオードの逆回復特性と逆回復耐量の改善をするだけでなく、さらに、特に逆回復損失を小さくするように改善することのできる半導体装置を提供すること。【解決手段】ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のp型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板の一方の主面に、他導電型ベース領域と、該ベース領域表面に形成される一導電型エミッタ領域と、該エミッタ領域表面と前記ベース領域表面とに共通にオーミック接触するエミッタ電極と、前記エミッタ領域表面と前記半導体基板表面とに挟まれる前記ベース領域の表面にゲート絶縁膜を介して積層されるゲート電極とを含む活性領域と、前記ゲート電極と実質的に同電位であって、前記他導電型ベース領域より高不純物濃度の他導電型領域表面に絶縁膜を介して設けられ、前記エミッタ電極とは前記他導電型ベース領域を介して電気的に接続されるとともに、ゲート外部導線を接続させるための金属電極を載置するゲートパッド電極領域と、該ゲートパッド電極領域と前記活性領域との外周をリング状に取り囲む耐圧構造部と、少なくとも前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に形成される他導電型コレクタ領域と該他方の主面側領域にオーミック接触するコレクタ電極と、を備えるIGBT部と、前記活性領域に対向する他方の主面側領域に選択的に前記他導電型コレクタ領域と交互に形成される一導電型領域を有し、該一導電型領域にオーミック接触するコレクタ電極をカソード電極、前記エミッタ電極をアノード電極とするダイオード部と、を備える半導体装置において、前記ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度の前記他導電型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 , H01L 29/78 , H01L 29/739 , H01L 29/06 , H01L 21/76

FI (10件)：

H01L29/78 657D , H01L29/78 652Q , H01L29/78 653A , H01L29/78 652F , H01L29/78 655F , H01L29/78 655D , H01L29/78 652P , H01L29/78 652R , H01L29/06 301G , H01L29/78 656A

引用特許：

出願人引用 (8件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-049300 出願人：株式会社デンソー
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-396036 出願人：株式会社デンソー
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-265387 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社

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審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-049300 出願人：株式会社デンソー
半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-396036 出願人：株式会社デンソー
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-265387 出願人：三洋電機株式会社, 三洋半導体株式会社

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