半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：矢作和行 , 野々部泰平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-049300
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227806
出願日： 2006年02月24日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：

【課題】IGBTとダイオードが同じ半導体基板に形成されてなる小型の半導体装置であって、ダイオードのリカバリー特性の劣化を抑制できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1におけるIGBTの形成領域とダイオードの形成領域以外の領域(周辺部)において、主面側の表層部に、P導電型の第5半導体領域6が形成され、第1半導体領域2、第3半導体領域4および第5半導体領域6が、電気的に共通接続され、第5半導体領域6に対向して、裏面側の表層部に、P導電型の第6半導体領域7aが形成され、第2半導体領域3、第4半導体領域5および第6半導体領域7aが、電気的に共通接続されてなる半導体装置100とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

IGBTとダイオードが、同じN導電型の半導体基板に形成されてなる半導体装置であって、前記IGBTの形成領域において、前記半導体基板の主面側の表層部に、IGBTのチャネル形成領域となるP導電型の第1半導体領域が形成され、前記第1半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、IGBTのコレクタ領域となるP導電型の第2半導体領域が形成され、前記ダイオードの形成領域において、前記半導体基板の主面側の表層部に、ダイオードのアノード領域となるP導電型の第3半導体領域が形成され、前記第3半導体領域に対向して、前記半導体基板の裏面側の表層部に、ダイオードのカソード領域となるN導電型の第4半導体領域が形成され、前記半導体基板における前記IGBTの形成領域と前記ダイオードの形成領域以外の領域において、主面側の表層部に、P導電型の第5半導体領域が形成され、前記第1半導体領域、前記第3半導体領域および前記第5半導体領域が、電気的に共通接続され、前記第5半導体領域に対向して、裏面側の表層部に、P導電型の第6半導体領域が形成され、前記第2半導体領域、前記第4半導体領域および前記第6半導体領域が、電気的に共通接続されてなることを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 29/739 , H01L 29/78 , H01L 27/04 , H01L 29/06 , H01L 21/823 , H01L 27/06 , H01L 27/08 , H01L 21/822 , H01L 21/331 , H01L 29/732

FI (11件)：

H01L29/78 655F , H01L29/78 655B , H01L29/78 657B , H01L29/78 652Q , H01L29/78 652P , H01L27/06 102A , H01L27/06 311B , H01L27/08 331B , H01L27/06 101D , H01L29/06 301G , H01L29/72 P

Fターム (25件)：

5F003AP06 , 5F003BH10 , 5F003BH18 , 5F003BJ12 , 5F003BJ96 , 5F048AA05 , 5F048AC01 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BC12 , 5F048BG13 , 5F048BH05 , 5F048CC07 , 5F048CC15 , 5F048CC16 , 5F048CC18 , 5F048CC19 , 5F082AA02 , 5F082AA33 , 5F082BA47 , 5F082BC01 , 5F082BC09 , 5F082BC11 , 5F082BC20 , 5F082DA09

引用特許：

出願人引用 (9件)

ダイオード及び電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040918 出願人：株式会社日立製作所
ダイオード及び電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-283790 出願人：株式会社日立製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-213891 出願人：三菱電機株式会社

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審査官引用 (5件)

半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-160056 出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
絶縁ゲート型半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-162393 出願人：サンケン電気株式会社
ダイオード及び電力変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-040918 出願人：株式会社日立製作所

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