特許
J-GLOBAL ID：201003019526766899

半導体装置の製造方法及び成膜システム

発明者：
小林 保男

小林 保男 について

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西澤 賢一

西澤 賢一 について

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亀嶋 隆季

亀嶋 隆季 について

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松岡 孝明

松岡 孝明 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-277902
公開番号（公開出願番号）：特開2010-056579
出願日： 2009年12月07日
公開日（公表日）： 2010年03月11日
要約：
【課題】フッ素添加カーボン膜(CF膜)上にハードマスク用の薄膜であるSiCO膜あるいはSiCN膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。【解決手段】 SiCO膜をハードマスクとして使用する場合に、CF膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば5〜10秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にSiCN膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりSiCO膜を成膜する。SiCO膜の成膜時に、酸素の活性種がCF膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってCF膜の脱ガス量が低減する。またSiCN膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板上にフッ素添加カーボン膜からなる絶縁膜を成膜する工程と、 前記フッ素添加カーボン膜の上に、窒素添加炭化ケイ素膜からなる保護層を成膜する工程と、 前記保護層の表面をシリコン、炭素及び酸素の活性種を含むプラズマに曝して酸素添加炭化ケイ素膜からなるハードマスク用の薄膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522
FI (6件)：
H01L21/314 M ,  H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L21/312 N ,  H01L21/90 M ,  H01L21/90 N
Fターム (74件)：
5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ74 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR05 ,  5F033RR06 ,  5F033RR11 ,  5F033RR29 ,  5F033SS02 ,  5F033SS03 ,  5F033SS04 ,  5F033SS08 ,  5F033SS15 ,  5F033TT02 ,  5F033XX12 ,  5F033XX25 ,  5F033XX28 ,  5F058AA03 ,  5F058AA06 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AC10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD06 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AD12 ,  5F058AF02 ,  5F058AG10 ,  5F058AH02 ,  5F058AH05 ,  5F058AH06 ,  5F058BA02 ,  5F058BA06 ,  5F058BA10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC04 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD06 ,  5F058BD10 ,  5F058BD13 ,  5F058BD16 ,  5F058BD18 ,  5F058BD19 ,  5F058BF08 ,  5F058BF23 ,  5F058BF24 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BF39 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ05 ,  5F058BJ06
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体素子の製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-320912   出願人：東京エレクトロン株式会社
審査官引用 (5件)
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