特許
J-GLOBAL ID：200903038728677999

金属-絶縁体-金属キャパシタを有する半導体装置及びその方法

発明者：
陳 裕 承

陳 裕 承 について

, 
安 鍾 現

安 鍾 現 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について


代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-063878
公開番号（公開出願番号）：特開2003-297942
出願日： 2003年03月10日
公開日（公表日）： 2003年10月17日
要約：
【要約】【課題】 金属-絶縁体-金属キャパシタを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 本発明による半導体装置は、半導体基板上に形成された下部配線、前記下部配線を有する半導体基板上に形成された金属間絶縁膜、前記金属間絶縁膜を貫通して前記下部配線を露出させる複数の開口部、前記開口部の内側壁、前記露出された下部配線の表面及び前記開口部の間の前記金属間絶縁膜上にコンフォマルに形成された下部電極、前記下部電極上に順次に積層された誘電体膜及び上部電極、及び前記上部電極上に配置された上部配線を含む。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された第1下部配線と、前記第1下部配線を有する半導体基板上に形成された金属間絶縁膜と、前記金属間絶縁膜を貫通して前記第1下部配線を露出させる複数の開口部と、前記開口部の内側壁、前記露出された第1下部配線の表面及び前記開口部の間の前記金属間絶縁膜上にコンフォマルに形成された下部電極と、前記下部電極上に順次に積層された誘電体膜及び上部電極と、前記上部電極上に配置された第1上部配線とを含み、前記第1上部配線は前記上部電極と電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/822 ,  H01L 21/768 ,  H01L 27/04
FI (2件)：
H01L 27/04 C ,  H01L 21/90 A
Fターム (81件)：
5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033HH36 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ27 ,  5F033JJ30 ,  5F033JJ32 ,  5F033JJ33 ,  5F033JJ34 ,  5F033JJ36 ,  5F033KK07 ,  5F033KK08 ,  5F033KK09 ,  5F033KK11 ,  5F033KK13 ,  5F033KK14 ,  5F033KK18 ,  5F033KK19 ,  5F033KK20 ,  5F033KK21 ,  5F033KK27 ,  5F033KK30 ,  5F033KK32 ,  5F033KK33 ,  5F033KK34 ,  5F033KK36 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033NN38 ,  5F033PP06 ,  5F033PP14 ,  5F033PP19 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR03 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR21 ,  5F033RR23 ,  5F033SS12 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033VV10 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX24 ,  5F033XX27 ,  5F038AC05 ,  5F038AC10 ,  5F038AC15 ,  5F038CA16 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ14 ,  5F038EZ15 ,  5F038EZ20
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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