特許
J-GLOBAL ID：201003022720804018

III族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者：
三木 久幸

三木 久幸 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (6件)： 志賀 正武 ,  高橋 詔男 ,  渡邊 隆 ,  鈴木 三義 ,  西 和哉 ,  村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-308665
公開番号（公開出願番号）：特開2010-135490
出願日： 2008年12月03日
公開日（公表日）： 2010年06月17日
要約：
【課題】高い発光出力を有するIII族窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】n型半導体層12と、n型半導体層12に積層された多重量子井戸構造からなる活性層13と、AlxGa1-xNなる組成(組成比を示すxは0<x≦0.4の範囲である)であってドーパントを含まないアンドープ膜14aとAlyGa1-yNなる組成(組成比を示すyは0≦y<0.4の範囲である)であってドーパントを含むドープ膜14bとが交互に複数積層されてなる超格子構造からなる層であって、活性層13側の面がアンドープ膜14aで構成された第1のp型半導体層14と、第1のp型半導体層14に積層された第2のp型半導体層15と、を有するIII族窒化物半導体発光素子1を採用する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型半導体層と、 前記n型半導体層に積層された多重量子井戸構造からなる活性層と、 前記活性層に積層された第1のp型半導体層と、 前記第1のp型半導体層に積層された第2のp型半導体層とを有し、 前記第1のp型半導体層が、AlxGa1-xNなる組成(組成比を示すxは0<x≦0.4の範囲である)であってドーパントを含まないアンドープ膜と、AlyGa1-yNなる組成(組成比を示すyは0≦y<0.4の範囲である)であってドーパントを含むドープ膜とが交互に複数積層されてなる超格子構造からなる層であって、前記活性層側の面が前記アンドープ膜で構成されていることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
IPC (1件)：
H01L 33/32
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041DA07 ,  5F041DA18 ,  5F041DA43 ,  5F041DB01
引用特許：
出願人引用 (13件)
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審査官引用 (3件)

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