特許
J-GLOBAL ID：200903061436922382

半導体素子

発明者：
柳本 友弥

柳本 友弥 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-128288
公開番号（公開出願番号）：特開2007-243219
出願日： 2007年05月14日
公開日（公表日）： 2007年09月20日
要約：
【課題】 半導体素子、特に窒化物半導体を用いた発光素子、レーザ素子において、380nmの短波長域における発光効率に優れた活性層、及び素子構造を実現する。【解決手段】 井戸層1と障壁層2とを有する量子井戸構造の活性層12が、第1導電型層11、第2導電型層12とで挟まれた構造を有する半導体素子において、前記活性層内において、少なくとも1つの井戸層1aを挟んで、前記第1導電型層11側に第1の障壁層2aと、前記第2導電型層12側に第2の障壁層2bと、が設けられると共に、第2の障壁層2bが、第1の障壁層2aよりもバンドギャップエネルギーが小さく、障壁層が非対称なことを特徴とする。更に好ましくは、第2導電型層12内には、第1の障壁層2aよりもバンドギャップエネルギーの大きなキャリア閉じ込め層28が設けられることで、活性層を挟む各導電型層に、活性層の非対称構造とは反対のバンド構造が設けられる。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
井戸層と障壁層とを有する量子井戸構造の活性層が、第1導電型層、第2導電型層とで挟まれた構造を有する半導体素子において、 前記活性層内において、少なくとも1つの井戸層を挟んで、前記第1導電型層側に第1の障壁層と、前記第2導電型層側に第2の障壁層と、が設けられると共に、 第2の障壁層が、第1の障壁層よりもバンドギャップエネルギーが小さいことを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01S5/343 610 ,  H01L33/00 C
Fターム (15件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F173AA05 ,  5F173AF06 ,  5F173AH22 ,  5F173AP05 ,  5F173AP19 ,  5F173AR23
引用特許：
審査官引用 (8件)
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