特許
J-GLOBAL ID:201003024798447311

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-303795
公開番号(公開出願番号):特開2010-129818
出願日: 2008年11月28日
公開日(公表日): 2010年06月10日
要約:
【課題】本発明は、低コストでシステムおよび半導体装置の小型化ができる半導体装置の製造方法を提供し、さらに鉛フリーはんだによる接合を採用しても信頼性への悪影響を抑制できる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】棒状電極端子が、回路パターン又は半導体素子上に直立するように、該棒状電極端子の一端を該回路パターン又は該半導体素子上に接合する。その後該棒状電極端子の長手方向に可動であるスリーブを、該棒状電極の長手方向の長さより該棒状電極と該スリーブからなる構造の長さの方が長くなるように該棒状電極端子の他端に装着する。そして型締めと同時に該スリーブを該棒状電極端子に圧入する。圧入後にキャビティ内にモールド樹脂を充填する。該モールド樹脂を充填する際には該上金型内壁と該スリーブが接触する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
棒状電極端子が、絶縁基板表面に形成された回路パターン又は半導体素子上に直立するように、前記棒状電極端子の一端を前記回路パターン又は前記半導体素子上に接合する工程と、 前記棒状電極端子の他端に装着される前記棒状電極端子の長手方向に可動であるスリーブを、前記棒状電極の長手方向の長さより前記棒状電極と前記スリーブからなる構造の長さの方が長くなるように前記棒状電極端子の他端に装着する工程と、 上金型の内壁を前記スリーブに下方向の力を及ぼすように前記スリーブと接触させ、かつ、下金型の内壁からは前記絶縁基板の裏面に上方向の力を及ぼすようにした状態で型締めを行い、前記スリーブを前記棒状電極端子に圧入する工程と、 前記スリーブを前記棒状電極端子に圧入した後に前記上金型と前記下金型から構成される空洞であるキャビティ内にモールド樹脂を充填する工程とを備え、 前記モールド樹脂を充填する際には前記上金型の内壁と前記スリーブが接触していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (5件):
H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/29
FI (4件):
H01L21/56 T ,  H01L23/28 A ,  H01L25/04 C ,  H01L23/36 A
Fターム (19件):
4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109DA10 ,  4M109DB02 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA21 ,  5F061DA06 ,  5F136BA30 ,  5F136BB04 ,  5F136BC05 ,  5F136EA15 ,  5F136EA41 ,  5F136FA02 ,  5F136FA03 ,  5F136FA05 ,  5F136FA14 ,  5F136FA16
引用特許:
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)

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