特許
J-GLOBAL ID：201003026298986324

MEMSセンサの製造方法

発明者：
河合 宏明

河合 宏明 について

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高橋 亨

高橋 亨 について

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宮武 亨

宮武 亨 について

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宇都 宜隆

宇都 宜隆 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (2件)： 野▲崎▼ 照夫 ,  三輪 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-291335
公開番号（公開出願番号）：特開2010-117265
出願日： 2008年11月13日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【課題】 特に、スティッキング防止構造を従来に比べて簡単且つ高精度に形成できるMEMSセンサを提供することを目的としている。 【解決手段】 図1(a)に示したように、第1の基板1と第2の基板2とを別々に単体で用意し、第1の基板1の下面1aに、予め、凸状のスティッキング防止部4を形成する。続いて、図1(b)の工程で酸化絶縁層3の形成、図1(c)工程で、第1の基板1と第2の基板2の接合を行う。その後は、従来の工程と同様である。本実施形態では、第1の基板1と第2の基板2を夫々、別々に用意し、これらを接合する前に、単体の前記第1の基板1に対してスティッキング防止部4を形成するから、従来に比べて簡単且つ高精度にスティッキング防止部4を形成することが可能になっている。また、本実施形態では、MEMSセンサの小型化に寄与することが出来る製造方法となっている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
(a) 第1の基板及び第2の基板を夫々用意し、前記第1の基板の少なくとも可動部となる領域の前記第2の基板との対向面に、凸状のスティッキング防止部を形成する工程、 (b) 前記第1の基板、あるいは第2の基板の各対向面の少なくとも一方に酸化絶縁層を形成する工程、 (c) 前記第1の基板と前記第2の基板を接合する工程、 (d) 前記第1の基板を加工して、少なくとも前記可動部を形成する工程、 (e) 前記可動部と前記第2の基板間に位置する前記酸化絶縁層を除去して、前記可動部と前記第2の基板の間に空間を形成する工程、 を有することを特徴とするMEMSセンサの製造方法。
IPC (3件)：
G01P 15/125 ,  H01L 29/84 ,  B81C 3/00
FI (3件)：
G01P15/125 Z ,  H01L29/84 Z ,  B81C3/00
Fターム (23件)：
3C081AA02 ,  3C081BA09 ,  3C081BA44 ,  3C081BA48 ,  3C081CA03 ,  3C081CA14 ,  3C081CA20 ,  3C081CA26 ,  3C081CA32 ,  3C081DA30 ,  3C081DA45 ,  3C081EA02 ,  4M112AA02 ,  4M112BA07 ,  4M112CA21 ,  4M112CA24 ,  4M112CA31 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA11 ,  4M112EA02 ,  4M112EA06 ,  4M112FA20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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