特許
J-GLOBAL ID:201003027891079569

ガス化ストリームから二酸化炭素および水素を製造する構成および方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (6件): 川口 義雄 ,  小野 誠 ,  渡邉 千尋 ,  金山 賢教 ,  大崎 勝真 ,  坪倉 道明
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-550932
公開番号(公開出願番号):特表2010-519387
出願日: 2008年02月22日
公開日(公表日): 2010年06月03日
要約:
脱炭セクションと脱硫セクションを有した構成で、シフト合成ガスまたは非シフト合成ガスから硫黄化合物と二酸化炭素を除去するための、合成ガス処理プラントが構成される。脱炭セクション内の溶媒はフラッシングによって再生および冷却され、脱硫セクションでは溶媒は、外部熱を使用してストリッピングによって再生されることが最も好ましい。硫化カルボニルが脱硫セクションで加水分解によって除去されること、またそのようにして製造された硫化水素は下流の吸収器内で除去されることがなおさらに好ましい。
請求項(抜粋):
合成ガスを製造するように構成されるガス化ユニットと、 合成ガスを受け取るようにガス化ユニットに流体結合され、主吸収器、COS加水分解ユニット、および副吸収器を含む脱硫セクションであって、 主吸収器はCOS加水分解ユニットの上流にあり、COS加水分解ユニットは副吸収器の上流にあり、 主吸収器および副吸収器は合成ガスからH2Sを第1溶媒で吸収することによって脱硫合成ガスを製造するように構成される、脱硫セクションと、 脱硫合成ガスを受け取るように脱硫セクションに流体結合され、脱硫合成ガスからCO2を吸収しかつ第2溶媒を使用してH2製造物ストリームを製造するように構成されるCO2吸収器を備える脱炭セクションとを備えるプラントであって、 脱硫セクションは、ストリッピングによって第1溶媒を再生するように構成され、脱炭セクションは、フラッシングによって第2溶媒を再生するように構成される、プラント。
IPC (4件):
C10K 1/14 ,  C10K 1/22 ,  C10K 3/00 ,  C10K 1/34
FI (4件):
C10K1/14 ,  C10K1/22 ,  C10K3/00 ,  C10K1/34
Fターム (12件):
4H060AA02 ,  4H060BB12 ,  4H060BB16 ,  4H060BB22 ,  4H060BB23 ,  4H060BB32 ,  4H060DD02 ,  4H060DD12 ,  4H060FF03 ,  4H060FF04 ,  4H060FF13 ,  4H060GG01
引用特許:
審査官引用 (8件)
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