特許
J-GLOBAL ID：201003030506613330
フォトマスクブランク、フォトマスク及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-170305
公開番号（公開出願番号）：特開2010-008868
出願日： 2008年06月30日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：
【課題】ハーフピッチ(hp)32-22nm世代に必要なエッチングマスク層の薄膜化と、遮光帯の光学濃度設計の自由度確保を両立できる位相シフトマスクの作製方法を提供する。【解決手段】位相シフト部は、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜10を備え、前記透光性基板の反対側の表面には、エッチングによって転写パターン領域以外の領域で透光性基板を透過する露光光を遮光する遮光部(遮光帯)を形成する遮光膜20を備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
透光性基板に、透過する露光光に対して所定の位相差を生じさせる位相シフト部を設けた位相シフトマスクを作製するためのフォトマスクブランクであって、
前記位相シフト部は、位相シフト部を設けていない部分の透光性基板を透過する露光光に対し、所定の位相差を生じさせる掘込深さで前記透光性基板の表面から掘り込んだ掘込部であり、
前記透光性基板を掘り込む側の表面には、塩素系ガスで実質的にドライエッチングされ、フッ素系ガスで実質的にドライエッチングされない材料で形成され、前記掘込部を形成するときに少なくとも前記掘込深さに到達するまでエッチングマスクとして機能するエッチングマスク膜を備え、
前記透光性基板の反対側の表面には、エッチングによって転写パターン領域以外の領域で透光性基板を透過する露光光を遮光する遮光部を形成する遮光膜を備える
ことを特徴とするフォトマスクブランク。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
2H095BA01
, 2H095BA02
, 2H095BB03
, 2H095BB06
, 2H095BB14
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (9件)
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