特許
J-GLOBAL ID：201003031503177381

成膜装置及び成膜方法、並びに照明装置の作製方法

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-071754
公開番号（公開出願番号）：特開2010-248629
出願日： 2010年03月26日
公開日（公表日）： 2010年11月04日
要約：
【課題】均一性の良い薄膜を形成する成膜装置若しくは薄膜の作製方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板の一の領域に特定の成膜材料が被着されるように配置された第1の蒸発源と、基板の他の一の領域に他の特定の成膜材料が被着されるように配置された第2の蒸発源とを設け、基板の被成膜表面において異なる材料が所定の比率で含まれるように基板を回転させる。複数の蒸発源を異なる位置に配置することにより、複数の材料が混合した薄膜、複数の材料の層が格子状に配列した薄膜、若しくは複数の材料の単分子層が膜厚方向に積層した薄膜であって実質的に単分子超多層構造した薄膜を形成することが可能となる。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
離散的に配置された複数の蒸発源と、 前記複数の蒸発源のそれぞれから成膜材料が飛着する基板の面内位置が異なるように該基板を保持する基板保持部と、 前記複数の蒸発源と基板の一方又は双方を相対的に移動させる駆動部と を有することを特徴とする成膜装置。
IPC (3件)：
C23C 14/24 ,  H05B 33/10 ,  H01L 51/50
FI (3件)：
C23C14/24 C ,  H05B33/10 ,  H05B33/14 A
Fターム (17件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107CC45 ,  3K107FF01 ,  3K107GG04 ,  3K107GG28 ,  3K107GG32 ,  3K107GG34 ,  4K029AA07 ,  4K029AA08 ,  4K029AA09 ,  4K029AA11 ,  4K029BA62 ,  4K029CA01 ,  4K029DB06 ,  4K029DB14
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM