特許

J-GLOBAL ID：201003031832337420

パワー半導体装置

発明者： 山口 博史
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (7件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-239098
公開番号（公開出願番号）：特開2010-004003
出願日： 2008年09月18日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】優れたパワーサイクル寿命を有するパワー半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1に、縦型パワーデバイスの複数のセル構造が形成されている。複数のセル構造のうち主表面の中央部CRに位置する一のセル構造は、複数のセル構造のうち主表面の外周部PRに位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている。【選択図】図7

請求項（抜粋）：

主表面を有する半導体基板と、 前記半導体基板に形成された縦型パワーデバイスの複数のセル構造とを備え、 前記複数のセル構造のうち前記主表面の中央部に位置する一のセル構造は、前記複数のセル構造のうち前記主表面の外周部に位置する他のセル構造の通電能力よりも低い通電能力を有するように構成されている、パワー半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 29/739 ,  H01L 27/04

FI (8件)：

H01L29/78 652S ,  H01L29/78 655G ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 657D ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 652B ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 653A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-160055   出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-220816   出願人：富士電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-247516   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-293802   出願人：サンケン電気株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-381719   出願人：三菱電機株式会社