特許
J-GLOBAL ID:201003034184162278
MEMSセンサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
野▲崎▼ 照夫
, 三輪 正義
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-085383
公開番号(公開出願番号):特開2010-238921
出願日: 2009年03月31日
公開日(公表日): 2010年10月21日
要約:
【課題】 特に、センサ部材とキャップ部材間の応力を効果的に緩和できるMEMSセンサを提供することを目的としている。【解決手段】 センサ部材4とキャップ部材5とが接合層6を介して接合されている。前記センサ部材4は、前記接合層6側からセンサ領域を備える第1シリコン部材1、第1酸化絶縁3層及び第2シリコン部材2の順に積層されている。前記キャップ部材5は、前記接合層6側から第3シリコン部材7、第2酸化絶縁層8及び第4シリコン部材9の順に積層されている。【選択図】図2
請求項(抜粋):
センサ部材とキャップ部材とが接合層を介して接合されており、
前記センサ部材は、前記接合層側からセンサ領域を備える第1シリコン部材、第1酸化絶縁層及び第2シリコン部材の順に積層されており、
前記キャップ部材は、前記接合層側から第3シリコン部材、第2酸化絶縁層及び第4シリコン部材の順に積層されていることを特徴とするMEMSセンサ。
IPC (5件):
H01L 23/06
, H01L 23/02
, G01P 15/08
, H01L 29/84
, B81B 3/00
FI (5件):
H01L23/06 Z
, H01L23/02 C
, G01P15/08 P
, H01L29/84 Z
, B81B3/00
Fターム (30件):
3C081AA01
, 3C081BA07
, 3C081BA11
, 3C081BA30
, 3C081BA32
, 3C081BA44
, 3C081BA48
, 3C081BA72
, 3C081CA05
, 3C081CA14
, 3C081CA20
, 3C081CA28
, 3C081CA32
, 3C081DA04
, 3C081DA22
, 3C081DA27
, 3C081DA30
, 3C081EA02
, 4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA21
, 4M112CA24
, 4M112CA31
, 4M112DA05
, 4M112DA09
, 4M112DA18
, 4M112EA02
, 4M112EA06
, 4M112EA11
, 4M112FA09
引用特許:
審査官引用 (7件)
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-430049
出願人:株式会社デンソー
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マイクロ慣性センサ及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-376455
出願人:三星電機株式会社
-
力学量センサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-060596
出願人:株式会社デンソー
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