特許
J-GLOBAL ID：201003036091066018

発光素子

発明者：
飯塚 和幸

飯塚 和幸 について

, 
渡邊 優洋

渡邊 優洋 について


出願人/特許権者：
日立電線株式会社

日立電線株式会社 について


代理人 (1件)： 沖川 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-009648
公開番号（公開出願番号）：特開2010-219502
出願日： 2010年01月20日
公開日（公表日）： 2010年09月30日
要約：
【課題】発光出力を向上させることのできる発光素子を提供する。【解決手段】発光素子1は、第1半導体層と、第2半導体層と、第1半導体層と第2半導体層とに挟まれる活性層105とを有する半導体積層構造10と、半導体積層構造10の一方の面に設けられる中心電極と、中心電極の外周から延びる細線電極とを有する表面電極110と、半導体積層構造10の他方の面の表面電極110の直下を除く部分に細線電極に沿って平行に設けられ、細線電極との間の最短の電流経路を形成する複数の第1領域と、複数の第1領域を接続する第2領域とを有するコンタクト120部とを備え、表面電極110は、細線電極と第1領域との間の最短の電流経路より、中心電極とコンタクト部120との間の最短の電流経路の方が長く、細線電極の端部と第1領域との間の最短の電流経路以上の長さとなる配置である領域を少なくとも有する。【選択図】図1C
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1半導体層と、前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層とに挟まれる活性層とを有する半導体積層構造と、 前記半導体積層構造の一方の面に設けられる中心電極と、前記中心電極の外周から延びる細線電極とを有する表面電極と、 前記半導体積層構造の他方の面の前記表面電極の直下を除く部分に前記細線電極に沿って平行に設けられ、前記細線電極との間の最短の電流経路を形成する複数の第1領域と、前記複数の第1領域を接続する第2領域とを有するコンタクト部と を備え、 前記表面電極は、前記細線電極と前記第1領域との間の最短の電流経路より、前記中心電極と前記コンタクト部との間の最短の電流経路の方が長く、前記細線電極の端部と前記コンタクト部との間の最短の電流経路が、前記細線電極と前記第1領域との間の最短の電流経路以上の長さとなる配置である発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/38 ,  H01L 33/10
FI (2件)：
H01L33/00 210 ,  H01L33/00 130
Fターム (5件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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