特許
J-GLOBAL ID：201003036540965642

表示装置、電子機器および表示装置の製造方法

発明者：
今尾 和博

今尾 和博 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  須澤 修 ,  宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-325110
公開番号（公開出願番号）：特開2010-147368
出願日： 2008年12月22日
公開日（公表日）： 2010年07月01日
要約：
【課題】トランジスタの役割に応じて能動層を構成する結晶シリコン層の結晶粒の粒径を異ならせることが可能な表示装置を提供する。【解決手段】このEL装置100(表示装置)は、金属層21および基板1の表面上に形成されるバッファ膜22および23と、金属層21が形成されない領域上のバッファ膜23の表面上に形成される能動層24を有する画素選択用トランジスタ7と、金属層21が形成される領域上のバッファ膜23の表面上に形成される能動層25を有する駆動電流制御用トランジスタ8とを備え、駆動電流制御用トランジスタ8の能動層25を構成する結晶シリコン層50(結晶シリコン領域50b)の結晶粒の平均粒径は、画素選択用トランジスタ7の能動層24を構成する結晶シリコン層50(結晶シリコン領域50a)の結晶粒の平均粒径よりも小さい。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
基板と、 前記基板上に形成される金属層と、 前記金属層および前記基板の表面上に形成される絶縁膜と、 前記金属層が形成されない領域上の前記絶縁膜の表面上に形成される第1能動層を有す る画素選択用トランジスタと、 前記金属層が形成される領域上の前記絶縁膜の表面上に形成される第2能動層を有する 駆動電流制御用トランジスタとを備え、 前記第1能動層と前記第2能動層とは結晶シリコン層からなり、 前記駆動電流制御用トランジスタの前記第2能動層の少なくともチャネル領域を構成す る前記結晶シリコン層の結晶粒の平均粒径は、前記画素選択用トランジスタの前記第1能 動層を構成する前記結晶シリコン層の結晶粒の平均粒径よりも小さい、表示装置。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 51/50
FI (5件)：
H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 626C ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  H05B33/14 A
Fターム (56件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC02 ,  3K107CC11 ,  3K107CC33 ,  3K107EE04 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110EE04 ,  5F110EE30 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110GG25 ,  5F110HL07 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN03 ,  5F110NN05 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN35 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN54 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110PP04 ,  5F110PP05 ,  5F152AA06 ,  5F152AA08 ,  5F152BB02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD14 ,  5F152CD17 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152CE24 ,  5F152FF01 ,  5F152FF43 ,  5F152FF44 ,  5F152FG01 ,  5F152FG23 ,  5F152FH01
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (7件)
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