特許
J-GLOBAL ID：201003037008535440

貼り合わせウェーハの製造方法

発明者：
横川 功

横川 功 について

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能登 宣彦

能登 宣彦 について

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今井 正幸

今井 正幸 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-268484
公開番号（公開出願番号）：特開2010-098167
出願日： 2008年10月17日
公開日（公表日）： 2010年04月30日
要約：
【課題】犠牲酸化により薄膜表面のダメージを低減すると共に、ウェーハ表面粗さの悪化や結晶欠陥等を防止しながら、貼り合わせ界面の結合強度を十分に高めることができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを貼り合わせた後、ボンドウェーハの一部をイオン注入層で剥離することにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製し、その後、二段階熱処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法であって、二段階熱処理において、950°C未満の温度で酸化熱処理を行った後に、5%以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気で、1000°C以上の温度で結合熱処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
少なくとも、ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類のガスイオンをイオン注入してウェーハ内部にイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハのイオン注入された側の表面とベースウェーハの表面とを、絶縁膜を介して、又は、直接貼り合わせた後、前記ボンドウェーハの一部を前記イオン注入層で剥離することにより、ベースウェーハ上に薄膜を有する貼り合わせウェーハを作製し、その後、二段階熱処理を行う貼り合わせウェーハの製造方法であって、 前記二段階熱処理において、950°C未満の温度で酸化熱処理を行った後に、5%以下の酸素を含む不活性ガス雰囲気で、1000°C以上の温度で結合熱処理を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 27/12
FI (1件)：
H01L27/12 B
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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