特許
J-GLOBAL ID：201003037372390554

成膜装置及びこの使用方法

発明者：
野呂 尚孝

野呂 尚孝 について

, 
藤田 武彦

藤田 武彦 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 浅井 章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-246844
公開番号（公開出願番号）：特開2010-080657
出願日： 2008年09月25日
公開日（公表日）： 2010年04月08日
要約：
【課題】排気口の近傍に付着している反応副生成物が燃焼することを防止することが可能な成膜装置を提供する。【解決手段】被処理体Wに対してシリコン含有ガスを用いて薄膜を形成する成膜処理と酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置2において、被処理体を複数枚収容できる処理容器4と、原料ガスを供給する原料ガス供給手段26と、原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段28と、酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段32と、処理容器に設けられた第1の排気口54と、第1の排気口とは異なる位置に設けられた第2の排気口88と、第1の排気口に接続されて成膜処理時に用いる第1の排気系56と、第2の排気口に接続されて酸化処理時に用いる第2の排気系90と、酸化処理時に第1の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段66とを備える。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
被処理体に対してシリコン含有ガスを原料ガスとしてシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜処理と被処理体に対して酸化ガスを用いて酸化を行う酸化処理とを施すことが可能な成膜装置において、 前記被処理体を複数枚収容できるような長さを有する処理容器と、 前記処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、 前記処理容器内へ前記原料ガスと反応する反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、 前記処理容器内へ酸化ガスを供給する酸化ガス供給手段と、 前記処理容器に設けられた第1の排気口と、 前記第1の排気口とは異なる位置に設けられた第2の排気口と、 前記第1の排気口に接続されて前記成膜処理時に用いる第1の排気系と、 前記第2の排気口に接続されて前記酸化処理時に用いる第2の排気系と、 前記酸化処理時に前記第1の排気口に不活性ガスを導入する不活性ガス導入手段と、 を備えたことを特徴とする成膜装置。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 B
Fターム (37件)：
4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA48 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA08 ,  4K030EA01 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030HA03 ,  4K030JA06 ,  4K030JA10 ,  4K030KA09 ,  4K030KA39 ,  4K030KA41 ,  4K030KA43 ,  4K030LA15 ,  5F045AA03 ,  5F045AA04 ,  5F045AA08 ,  5F045AB34 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB20 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EF03 ,  5F045EF09 ,  5F045EG01 ,  5F045EG05 ,  5F045EH18
引用特許：
出願人引用 (6件)
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