半導体量子ドット及び同形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：友野英三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-044413
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199414
出願日： 2009年02月26日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：

【課題】巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。【解決手段】本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットDの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層L4の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させることを特徴とする半導体量子ドット形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/203 , H01S 5/343 , H01L 33/06 , H01L 21/205 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (6件)：

H01L21/203 M , H01S5/343 , H01L33/00 112 , H01L21/205 , B82B1/00 , B82B3/00

Fターム (63件)：

5F041AA31 , 5F041AA40 , 5F041CA05 , 5F041CA34 , 5F041CA35 , 5F041CA36 , 5F041CA39 , 5F041CA65 , 5F041CA66 , 5F045AA04 , 5F045AB09 , 5F045AB10 , 5F045AB11 , 5F045AB12 , 5F045AB13 , 5F045AB17 , 5F045AB18 , 5F045AC02 , 5F045AC07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045BB09 , 5F045CA10 , 5F045CA12 , 5F045DA56 , 5F103AA04 , 5F103BB04 , 5F103BB08 , 5F103DD01 , 5F103DD03 , 5F103DD04 , 5F103DD05 , 5F103DD06 , 5F103DD07 , 5F103DD08 , 5F103DD09 , 5F103DD11 , 5F103DD12 , 5F103DD13 , 5F103GG01 , 5F103GG10 , 5F103HH03 , 5F103LL02 , 5F103LL03 , 5F103LL17 , 5F103NN01 , 5F103RR02 , 5F103RR04 , 5F103RR05 , 5F103RR06 , 5F103RR08 , 5F173AF08 , 5F173AH03 , 5F173AH12 , 5F173AH28 , 5F173AP05 , 5F173AP09 , 5F173AQ11 , 5F173AQ12 , 5F173AR81 , 5F173AR94

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体膜の成長方法およびこの半導体膜を備えた半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-137815 出願人：シャープ株式会社
半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-370631 出願人：富士通株式会社
量子ドット構造体及びそれを有する半導体デバイス装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-273465 出願人：三菱化学株式会社

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