特許
J-GLOBAL ID：201003038153878505

半導体量子ドット及び同形成方法

発明者：
赤羽 浩一

赤羽 浩一 について

, 
山本 直克

山本 直克 について


出願人/特許権者：
独立行政法人情報通信研究機構

独立行政法人情報通信研究機構 について


代理人 (1件)： 友野 英三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-044413
公開番号（公開出願番号）：特開2010-199414
出願日： 2009年02月26日
公開日（公表日）： 2010年09月09日
要約：
【課題】巨大アイランドの形成による結晶品質の低下という問題を引き起こすことなく、ナノ構造の品質・形状を高品質に保つことを可能とする半導体量子ドット及び同形成方法を提供すること。【解決手段】 本願に係る半導体量子ドット形成方法は、自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットDの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層L4の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
自己組織化機構により半導体量子ドットを形成する方法において、量子ドットの結晶成長レート及び/もしくは埋め込み層の結晶成長速度として1ML/s(モノレイヤー・パー・セカンド)以上によって層形成させることを特徴とする半導体量子ドット形成方法。
IPC (6件)：
H01L 21/203 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/06 ,  H01L 21/205 ,  B82B 1/00 ,  B82B 3/00
FI (6件)：
H01L21/203 M ,  H01S5/343 ,  H01L33/00 112 ,  H01L21/205 ,  B82B1/00 ,  B82B3/00
Fターム (63件)：
5F041AA31 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA36 ,  5F041CA39 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB10 ,  5F045AB11 ,  5F045AB12 ,  5F045AB13 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC02 ,  5F045AC07 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045AF05 ,  5F045BB09 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA56 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB08 ,  5F103DD01 ,  5F103DD03 ,  5F103DD04 ,  5F103DD05 ,  5F103DD06 ,  5F103DD07 ,  5F103DD08 ,  5F103DD09 ,  5F103DD11 ,  5F103DD12 ,  5F103DD13 ,  5F103GG01 ,  5F103GG10 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL17 ,  5F103NN01 ,  5F103RR02 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F103RR08 ,  5F173AF08 ,  5F173AH03 ,  5F173AH12 ,  5F173AH28 ,  5F173AP05 ,  5F173AP09 ,  5F173AQ11 ,  5F173AQ12 ,  5F173AR81 ,  5F173AR94
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (2件)

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