特許

J-GLOBAL ID：201003038245689350

アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法

発明者： 岩崎 達哉
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (9件)： 岡部 讓 ,  加藤 伸晃 ,  臼井 伸一 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  齋藤 正巳 ,  木村 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-108104
公開番号（公開出願番号）：特開2010-183108
出願日： 2010年05月10日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：

【課題】トランジスタのチャネルに用いられる酸化物材料に工夫を加え、上記ヒステリシスの低減を図ることを目的とする。【解決手段】電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるGaとInとZn、SnとInとZn、InとZnとGaとMg、InとSn、InとGa、又はInとZnを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、基板を成膜装置内に配置する工程と、水素ガスと酸素ガスとを前記成膜装置内に各々0.001Pa以上0.01Pa以下、0.008Pa以上0.5Pa以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界効果型トランジスタのチャネル層に用いるGaとInとZn、SnとInとZn、InとZnとGaとMg、InとSn、InとGa、又はInとZnを含むアモルファス酸化物膜の製造方法であって、 基板を成膜装置内に配置する工程と、 水素ガスと酸素ガスとを前記成膜装置内に各々0.001Pa以上0.01Pa以下、0.008Pa以上0.5Pa以下の分圧で導入しながら、スパッタリング成膜法により前記基板上にアモルファス酸化物膜を成膜する工程と、を含むことを特徴とするアモルファス酸化物膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/363

FI (4件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618G ,  H01L29/78 618A ,  H01L21/363

Fターム (41件)：

5F103AA08 ,  5F103BB06 ,  5F103BB22 ,  5F103BB27 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN06 ,  5F103RR05 ,  5F110AA30 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG15 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110GG52 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110QQ14

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-081483   出願人：富士ゼロックス株式会社
• 透明導電性フィルム及びそれを用いたエレクトロルミネッセンス発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-333788   出願人：三井化学株式会社
• 亜酸化銅等の金属酸化物半導体による薄膜トランジスタとpn接合を形成した金属酸化物半導体装置およびそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-068270   出願人：新技術事業団
• アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタ、アモルファス酸化物膜をチャネル層に用いた電界効果型トランジスタの製造方法及びアモルファス酸化物膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-221552   出願人：キヤノン株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 29p-E-14 高性能フレキシブルTFT実現のためのアモルファス酸化物半導体の材料設計