特許
J-GLOBAL ID：201003038538748440

欠陥検査装置

発明者：
粟村 大吉

粟村 大吉 について


出願人/特許権者：
大倉インダストリー株式会社

大倉インダストリー株式会社 について


代理人 (2件)： 大山 健次郎 ,  小山 有
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-025832
公開番号（公開出願番号）：特開2010-181317
出願日： 2009年02月06日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】半導体ウェハの端縁に存在する欠陥を検出できると共に検出した欠陥を観察することができる欠陥検査装置を実現する。【解決手段】半導体ウェハ1の端縁を異なる複数の角度方向から照明する欠陥検査用の第1の照明光学系10a〜10bと、半導体ウェハの端縁に向けて観察用の照明光を投射する第2の照明光学系16a〜16bと、欠陥検査時において半導体ウェハの端縁から出射した散乱光を集光し、観察時において半導体ウェハの端縁から出射した正反射光を集光する対物レンズ12とを具える。対物レンズにより集光された散乱光は光検出手段15により受光され、対物レンズにより集光された正反射光は撮像装置19により受光する。光検出手段からの出力信号及び撮像装置からの出力信号は信号処理装置5に供給して欠陥検出信号を発生すると共に半導体ウェハの端縁の2次元画像信号を出力する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体ウェハの端縁に存在する欠陥を検出すると共に検出した欠陥の画像を撮像する欠陥検査装置であって、 半導体ウェハの端縁を異なる複数の角度方向から照明する欠陥検査用の第1の照明光学系と、 半導体ウェハの端縁に向けて観察用の照明光を投射する第2の照明光学系と、 欠陥検査時において半導体ウェハの端縁から出射した散乱光を集光し、観察時において半導体ウェハの端縁から出射した正反射光を集光する対物レンズ装置と、 前記対物レンズ装置により集光された散乱光を受光する光検出手段と、 前記対物レンズ装置により集光された正反射光を受光する撮像光学系と、 前記光検出手段からの出力信号を受け取って欠陥検出信号を発生すると共に前記撮像装置からの出力信号を受け取って半導体ウェハの端縁の2次元画像信号を出力する信号処理装置とを具えることを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (1件)：
G01N 21/956
FI (1件)：
G01N21/956 A
Fターム (14件)：
2G051AA51 ,  2G051AB03 ,  2G051AB05 ,  2G051BA02 ,  2G051BA10 ,  2G051BB02 ,  2G051CA03 ,  2G051CA07 ,  2G051CB01 ,  2G051CB05 ,  2G051CC09 ,  2G051CC20 ,  2G051DA08 ,  2G051FA02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 端部傷検査装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-091866   出願人：株式会社レイテックス
審査官引用 (4件)
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