特許
J-GLOBAL ID：201003039640493836

光電変換装置およびその製造方法

発明者：
小西 博文

小西 博文 について

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時岡 秀忠

時岡 秀忠 について

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山向 幹雄

山向 幹雄 について

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山林 弘也

山林 弘也 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (4件)： 高橋 省吾 ,  稲葉 忠彦 ,  村上 加奈子 ,  中鶴 一隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-223381
公開番号（公開出願番号）：特開2010-062185
出願日： 2008年09月01日
公開日（公表日）： 2010年03月18日
要約：
【課題】 集積型の光電変換装置の分離溝で生じるリークを防ぐと共に、分離溝の幅を狭くする。【解決手段】 隣り合う光電変換セルの光電変換層が分離溝によって分離された光電変換装置の製造方法であって、分離溝9内に絶縁材料を塗布、硬化して絶縁部3を形成する工程と、絶縁部3の一部を底部まで除去して他方側の光電変換セルから延在する第1導電層を露出させる凹部5を形成する工程と、光電変換層の上と絶縁部材の上と凹部内とに連続する第2導電層6を形成する工程と、絶縁部3の上の第2導電層6に溝部37を形成する工程とを有する光電変換装置の製造方法である。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板上に複数の光電変換セルが配設されて、隣り合う一方の光電変換セルの光電変換層と他方の光電変換セルの光電変換層とが分離溝によって分離された光電変換装置の製造方法であって、 絶縁基板上に第1導電層を形成する工程と、 前記第1導電層の上に光電変換層を積層する工程と、 前記光電変換層を一方の光電変換セルと他方の光電変換セルとで分離する分離溝を形成する工程と、 前記第1導電層を一方の光電変換セルと他方の光電変換セルとで分離する工程であって、前記分離溝内に前記一方の光電変換セルの第1導電層が露出せずに前記他方の光電変換セルの第1導電層が前記分離溝の途中まで延在するように前記第1導電層を分離する工程と、 前記分離溝内に絶縁材料を塗布の後、前記絶縁材料を硬化して絶縁部を形成する工程と、 前記分離溝の両側面から離れた位置の前記絶縁部の一部を底部まで除去して、前記他方側の光電変換セルの第1導電層を露出させる凹部を形成する工程と、 前記光電変換層の上と前記絶縁部の上と前記凹部内とに、連続する第2導電層を形成する工程と、 前記絶縁部の上の前記第2導電層に一方の光電変換セルと他方の光電変換セルとで分離する溝部を形成する工程と、を有する光電変換装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 31/04 ,  H01L 31/042
FI (2件)：
H01L31/04 S ,  H01L31/04 C
Fターム (44件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA11 ,  5F051BA18 ,  5F051CB27 ,  5F051DA04 ,  5F051DA16 ,  5F051DA18 ,  5F051EA03 ,  5F051EA09 ,  5F051EA10 ,  5F051EA11 ,  5F051EA16 ,  5F051EA17 ,  5F051EA18 ,  5F051EA20 ,  5F051FA03 ,  5F051FA04 ,  5F051FA17 ,  5F051FA23 ,  5F051FA30 ,  5F051GA03 ,  5F151AA04 ,  5F151AA05 ,  5F151BA11 ,  5F151BA18 ,  5F151CB27 ,  5F151DA04 ,  5F151DA16 ,  5F151DA18 ,  5F151EA03 ,  5F151EA09 ,  5F151EA10 ,  5F151EA11 ,  5F151EA16 ,  5F151EA17 ,  5F151EA18 ,  5F151EA20 ,  5F151FA03 ,  5F151FA04 ,  5F151FA17 ,  5F151FA23 ,  5F151FA30 ,  5F151GA03
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (7件)
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