特許
J-GLOBAL ID：200903039730556542
光電変換装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-050050
公開番号（公開出願番号）：特開2004-260013
出願日： 2003年02月26日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：
【課題】加工工程の精度的簡易化が図れ、かつ横方向リークが防止できる集積化構造および製法を実現すること。【解決手段】複数の半導体素子が、導電性材料110によって隣接する半導体素子間で直列接続された集積化構造を有しており、これら複数の半導体素子は、裏電極104から表電極102まで分離する第1の分離溝105によって互いに分離されており、これら複数の半導体素子は、それぞれ、裏電極104から半導体多層膜103まで分離する第2の分離溝106によって第1の領域と第2の領域に分離されており、これら複数の半導体素子の隣接する素子間の直列接続は、一方の半導体素子の第1の領域内における裏電極104と、一方の半導体素子と隣接する他方の半導体素子の第2の領域内における表電極102とが、導電性材料110によって接続されることで実現されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
透光性基板上に、表電極、少なくとも1つ以上の半導体接合を有する半導体多層膜、裏電極がこの順で形成された複数の半導体素子が、導電性材料によって隣接する半導体素子間で直列接続された集積化構造を有した光電変換装置において、前記複数の半導体素子は、裏電極から表電極まで分離する第1の分離溝によって互いに分離されており、前記複数の半導体素子のそれぞれは、裏電極から半導体多層膜まで分離する第2の分離溝によって第1の領域と第2の領域に分離されており、前記複数の半導体素子の隣接する素子間の直列接続は、一方の半導体素子の前記第1の領域内における裏電極と、前記一方の半導体素子と隣接する他方の半導体素子の第2の領域内における表電極とが、導電性材料によって接続されることで実現されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
H01L31/04 M
, H01L31/04 H
5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA14
, 5F051BA18
, 5F051CA14
, 5F051DA04
, 5F051EA11
, 5F051EA14
, 5F051EA16
, 5F051EA20
, 5F051FA02
, 5F051FA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051FA08
, 5F051FA15
, 5F051FA17
, 5F051FA23
, 5F051GA03
