特許
J-GLOBAL ID：201003039873629576

エピタキシャルウエハ、窒化ガリウム系半導体デバイスを作製する方法、窒化ガリウム系半導体デバイス、及び酸化ガリウムウエハ

発明者：
橋本 信

橋本 信 について

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秋田 勝史

秋田 勝史 について

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藤原 伸介

藤原 伸介 について

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中幡 英章

中幡 英章 について

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元木 健作

元木 健作 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (4件)： 長谷川 芳樹 ,  寺崎 史朗 ,  黒木 義樹 ,  近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-027640
公開番号（公開出願番号）：特開2010-183026
出願日： 2009年02月09日
公開日（公表日）： 2010年08月19日
要約：
【課題】酸化ガリウムウエハ上設けられ平坦なc面を有する窒化ガリウム系半導体膜を含む窒化ガリウム系半導体デバイスを提供する。【解決手段】発光ダイオードLEDは、単斜晶系酸化ガリウムからなる主面32aを有する酸化ガリウム支持基体32と、III族窒化物からなる積層構造33とを備える。積層構造33の半導体メサは、低温GaNバッファ層35、n型GaN層37、量子井戸構造の活性層39及びp型窒化ガリウム系半導体層37を含む。p型窒化ガリウム系半導体層37は、例えばp型AlGAn電子ブロック層及びp型GaNコンタクト層を含む。酸化ガリウム支持基体32の主面32aが単斜晶系酸化ガリウムの(100)面に対して2度以上4度以下の角度で傾斜する。この傾斜により、酸化ガリウム支持基体主面32a上にエピタキシャル成長された窒化ガリウム系半導体は平坦な表面を有する。【選択図】図7
請求項（抜粋）：
窒化ガリウム系半導体デバイスのためのエピタキシャルウエハであって、 単斜晶系酸化ガリウムからなる主面を有する酸化ガリウムウエハと、 前記酸化ガリウムウエハの前記主面上に設けられIII族窒化物からなるバッファ層と、 前記バッファ層上に設けられ第1の窒化ガリウム系半導体からなる第1のエピタキシャル層と を備え、 前記酸化ガリウムウエハの前記主面は、前記単斜晶系酸化ガリウムの(100)面に対して2度以上の角度で傾斜すると共に4度以下の角度で傾斜する、ことを特徴とするエピタキシャルウエハ。
IPC (11件)：
H01L 21/205 ,  H01L 29/47 ,  H01L 29/872 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 33/16
FI (7件)：
H01L21/205 ,  H01L29/48 D ,  H01L29/91 F ,  H01L29/80 H ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L33/00 160
Fターム (36件)：
4M104AA04 ,  4M104BB09 ,  4M104FF31 ,  4M104GG03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD14 ,  5F045AF04 ,  5F045AF13 ,  5F045CA07 ,  5F045CA10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA67 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ00 ,  5F102GL04 ,  5F102GL07 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102HC01
引用特許：
審査官引用 (5件)
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