特許
J-GLOBAL ID：201003040032334570
銅-ガリウム合金スパッタリングターゲット及びそのスパッタリングターゲットの製造方法並びに関連用途
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人 有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-288573
公開番号（公開出願番号）：特開2010-116580
出願日： 2008年11月11日
公開日（公表日）： 2010年05月27日
要約：
【課題】形成された物理蒸着薄膜にマクロおよびミクロな偏析の生じない銅-ガリウム合金スパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】71原子%ないし78原子%のCuと22原子%ないし29原子%のGaからなり、その金属ミクロ組織中に25%以下の化合物相を有する銅-ガリウム合金スパッタリングターゲットを、原料ターゲットに500°Cないし850°Cの温度範囲での少なくとも1回の熱を伴う機械的な処理、0.5ないし5時間の焼なまし処理、またはそれらを組み合わせた処理を施す工程。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
71原子%ないし78原子%のCuと22原子%ないし29原子%のGaからなり、その金属ミクロ組織中に25%以下の化合物相を有する合金を含む銅-ガリウム合金スパッタリングターゲット。
IPC (3件)：
C22C 9/00
, C22F 1/08
, C23C 14/34
C22C9/00
, C22F1/08 A
, C23C14/34 A
4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC07
, 4K029DC08
