特許
J-GLOBAL ID:201003041325682544
固体撮像装置、及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
角田 芳末
, 伊藤 仁恭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-287011
公開番号(公開出願番号):特開2010-114323
出願日: 2008年11月07日
公開日(公表日): 2010年05月20日
要約:
【課題】信号電荷の転送効率を向上させ、かつ、飽和電荷量(Qs)、及び感度の向上を図った固体撮像装置と、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。【解決手段】基板26内に複数積層されたフォトダイオードを形成し、基板26表面側のフォトダイオードPD2に蓄積された信号電荷e2は、平面型ゲート電極(第2のゲート電極)23で読み出し、基板26表面から深さ方向に深い位置に形成されたフォトダイオードPD3に蓄積された信号電荷e3は、縦型ゲート電極(第3のゲート電極22)で読み出す。【選択図】図2
請求項(抜粋):
基板と、
前記基板の深さ方向に積層された複数のフォトダイオードと、前記複数のフォトダイオードのうち基板表面側のフォトダイオードの信号電荷を読み出す為に前記基板表面に形成された平面型ゲート電極と、前記複数のフォトダイオードのうち基板表面から深さ方向の深い位置のフォトダイオードの信号電荷を読み出す為に前記基板の深さ方向に埋め込まれて形成された前記縦型ゲート電極とを含んで構成された画素と、
前記複数のフォトダイオードを分離するフォトダイオード分離領域と、
を含んで構成された固体撮像装置。
IPC (3件):
H01L 27/146
, H04N 5/335
, H04N 9/07
FI (3件):
H01L27/14 A
, H04N5/335 U
, H04N9/07 A
Fターム (23件):
4M118AB01
, 4M118BA07
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118CA14
, 4M118CA18
, 4M118CA22
, 4M118CA27
, 4M118DD04
, 4M118DD12
, 4M118EA01
, 4M118EA14
, 4M118FA33
, 4M118GC07
, 5C024AX01
, 5C024CX41
, 5C024DX01
, 5C024GX01
, 5C024GX03
, 5C024GY31
, 5C065BB30
, 5C065CC01
, 5C065DD15
引用特許:
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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半導体イメージセンサ
公報種別:公開公報
出願番号:特願2007-207134
出願人:ソニー株式会社
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固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-028353
出願人:ソニー株式会社
-
光電変換膜積層型カラー固体撮像装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2004-308277
出願人:富士フイルムマイクロデバイス株式会社, 富士写真フイルム株式会社
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