特許
J-GLOBAL ID：201003041496875880
量子井戸構造の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 黒木 義樹
, 近藤 伊知良
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-179491
公開番号（公開出願番号）：特開2010-021290
出願日： 2008年07月09日
公開日（公表日）： 2010年01月28日
要約：
【課題】Inを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む量子井戸構造において、結晶構造の分解を抑えてIn組成に応じた発光特性を実現する。【解決手段】サファイア基板15の温度を第1の温度に保ちつつInGaN井戸層5aを成長させる井戸層成長工程と、基板15の温度を第1の温度から次第に昇温させながら、GaN中間層5cを井戸層5a上に成長させる中間層成長工程と、基板15の温度を第1の温度より高い第2の温度に保ちつつGaN障壁層5bを中間層5c上に成長させる障壁層成長工程とを含み、中間層成長工程の際に、中間層5cを1[nm]より厚く3[nm]より薄い厚さに成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
インジウムを組成中に有するIII族窒化物半導体を含む井戸層と、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む障壁層とを備える量子井戸構造を基板上に形成する方法であって、
前記基板の温度を第1の温度に保ちつつ前記井戸層を成長させる井戸層成長工程と、
前記基板の温度を前記第1の温度から次第に昇温させながら、前記井戸層のバンドギャップエネルギーより大きいバンドギャップエネルギーを有するIII族窒化物半導体を含む中間層を前記井戸層上に成長させる中間層成長工程と、
前記基板の温度を前記第1の温度より高い第2の温度に保ちつつ前記障壁層を前記中間層上に成長させる障壁層成長工程と
を含み、
前記中間層成長工程の際に、前記中間層を1[nm]より厚く3[nm]より薄い厚さに成長させることを特徴とする、量子井戸構造の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/32
, H01S 5/343
, H01L 21/205
H01L33/00 C
, H01S5/343 610
, H01L21/205
5F041AA11
, 5F041CA05
, 5F041CA22
, 5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AD11
, 5F045AF04
, 5F045BB05
, 5F045CA10
, 5F045DA55
, 5F045EK27
, 5F173AF12
, 5F173AH22
, 5F173AH44
, 5F173AP06
, 5F173AR81
出願人引用 (1件)
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窒化物半導体の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願2000-220454
出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (5件)
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