特許
J-GLOBAL ID：200903000848133537

半導体装置の製造方法

発明者：
琵琶 剛志

琵琶 剛志 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-049884
公開番号（公開出願番号）：特開2006-237281
出願日： 2005年02月25日
公開日（公表日）： 2006年09月07日
要約：
【課題】 量子井戸層のインジウム組成比の大きい量子井戸層を成長させる場合に、LEDやレーザ等の発光効率を高めることのできる、半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 各量子井戸層と各バリア層とを積層してなる多重積層構造を第1のクラッド層(n型GaN:Si)23と第2のクラッド層(p型GaN:Mg)26との間に挟んで配置する半導体装置の製造方法において、各量子井戸層2、4及び6の成長温度と各バリア層3、5及び7の成長温度とを異ならせて、各量子井戸層2、4及び6のそれぞれの成長後に、温度を上昇させて各バリア層3、5及び7をそれぞれ成長させることを特徴とする、発光素子28Aの製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
量子井戸層とバリア層とを積層してなる多重積層構造を第1のクラッド層と第2のクラッド層との間に挟んで配置する半導体装置の製造方法において、前記量子井戸層の成長温度と前記バリア層の成長温度とを異ならせて、前記量子井戸層の成長後に温度を上昇させて前記バリア層を成長させることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L33/00 C ,  H01L21/205 ,  H01S5/343 610
Fターム (32件)：
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA85 ,  5F041CA87 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AD11 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F173AF03 ,  5F173AG12 ,  5F173AH22 ,  5F173AH44 ,  5F173AJ04 ,  5F173AJ13 ,  5F173AP05 ,  5F173AP62 ,  5F173AQ12 ,  5F173AQ20 ,  5F173AR23 ,  5F173AR82 ,  5F173AR92
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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