特許
J-GLOBAL ID：201003043890851034
ウエハの領域全体の半導体パラメータを予測するための装置および方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-523167
公開番号（公開出願番号）：特表2010-538474
出願日： 2008年08月29日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
複数の既知のパラメータ値を使用している複数の未知のパラメータ値(例えば、オーバレイ誤差またはクリティカル寸法)を予測するための装置及び方法が提供される。実施形態において、方法は、ニューラルネットワークを複数のパラメータ値(114、700、800、900)を予測するために訓練することに関する。他の実施態様において、予測プロセスは、フォトリソグラフィー・ツールの光学的特性に依存しない。この予測は、ウエハロットの処分(114)を決定するために用いることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された複数のパラメータ値を予測する方法であって、
前記ウエハ上の複数の特定の測定位置にある複数の目標から測定された複数の既知のパラメータ値を準備するステップと、
訓練されたニューラルネットワークが複数の予測パラメータ値を予測するように、前記測定された既知のパラメータ値を用いてニューラルネットワークを訓練することにより、前記特定の測定位置に対応する前記予測パラメータ値の部分集合が、対応する前記測定された既知のパラメータ値の所定の誤差関数の範囲内となるように、ニューラルネットワークを訓練するステップと、
前記ウエハの少なくとも一部分の全体にわたって分配された前記複数の位置で前記予測パラメータ値を予測するために前記訓練されたニューラルネットワークを使用するステップと、
前記訓練されたニューラルネットワークによって予測された前記予測パラメータ値に基づいて前記ウエハの合格または不合格を決定するステップと、を含む方法。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L21/30 516Z
, H01L21/30 525Z
, H01L21/30 526Z
, H01L21/30 562
5F046AA17
, 5F046AA28
, 5F046BA04
, 5F046BA05
, 5F046DA02
, 5F046DA14
, 5F046DA30
, 5F046DD03
, 5F046ED01
, 5F046FC04
, 5F046FC10
, 5F046JA21
, 5F046JA27
, 5F046KA10
, 5F046LA19
