特許
J-GLOBAL ID：201003044853566121

有機半導体装置およびその製造方法

発明者：
野田 真

野田 真 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-316550
公開番号（公開出願番号）：特開2010-141161
出願日： 2008年12月12日
公開日（公表日）： 2010年06月24日
要約：
【課題】Ion/Ioffを減少させることなく、有機半導体層とソース・ドレイン電極との接触抵抗を低減することを可能にする。【解決手段】表面が絶縁性を有する基板11の表面上に形成されたゲート電極12と、前記基板11上に形成されていて前記ゲート電極12を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜13と、前記ゲート絶縁膜13上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極14、15と、前記ソース・ドレイン電極14、15の表面に形成された炭素薄膜16、17と、前記ゲート絶縁膜13上に形成されていて前記炭素薄膜16、17が形成された前記ソース・ドレイン電極14、15を被覆する有機半導体層18を有する有機半導体装置1である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
表面が絶縁性を有する基板の表面上に形成されたゲート電極と、 前記基板上に形成されていて前記ゲート電極を被覆する有機絶縁膜からなるゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に離間して形成されていて少なくとも表面が触媒金属からなるソース・ドレイン電極と、 前記ソース・ドレイン電極の表面に形成された炭素薄膜と、 前記ゲート電極の両側上方の前記ゲート絶縁膜上に形成されていて前記炭素薄膜が形成された前記ソース・ドレイン電極を被覆する有機半導体層を有する 有機半導体装置。
IPC (7件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/30 ,  H01L 51/40 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417
FI (10件)：
H01L29/78 616V ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 250E ,  H01L29/28 370 ,  H01L21/28 301B ,  H01L29/50 M
Fターム (62件)：
4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD22 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD66 ,  4M104DD68 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF13 ,  4M104GG08 ,  4M104HH15 ,  5F110AA03 ,  5F110AA05 ,  5F110BB01 ,  5F110BB05 ,  5F110BB20 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK35 ,  5F110QQ14
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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