特許
J-GLOBAL ID:201003045411958264
基板の処理装置及び処理方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (21件):
鈴江 武彦
, 蔵田 昌俊
, 河野 哲
, 中村 誠
, 福原 淑弘
, 峰 隆司
, 白根 俊郎
, 村松 貞男
, 野河 信久
, 幸長 保次郎
, 河野 直樹
, 砂川 克
, 風間 鉄也
, 勝村 紘
, 河井 将次
, 佐藤 立志
, 岡田 貴志
, 堀内 美保子
, 竹内 将訓
, 市原 卓三
, 山下 元
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-233184
公開番号(公開出願番号):特開2010-067819
出願日: 2008年09月11日
公開日(公表日): 2010年03月25日
要約:
【課題】この発明は半導体ウエハの上面全体をエッチング液によって均一にエッチング処理することができるようにした処理装置を提供することにある。【解決手段】基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、 半導体ウエハを保持して回転駆動される回転テーブル16と、先端部に処理液を半導体ウエハに向けて噴射する上部ノズル体51を有し、回転テーブルの上方で上部ノズル体が半導体ウエハを横切る方向に駆動されるアーム体52と、ノズル体が半導体ウエハの周辺部から中心部に向かうときにアーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには揺動速度を次第に低下させるようアーム体の移動速度を制御する制御装置7を具備する。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
基板を回転させながら処理液によって処理する処理装置であって、
上記基板を保持して回転駆動される回転テーブルと、
先端部に上記処理液を上記基板に向けて噴射するノズル体を有し、上記回転テーブルの上方で上記ノズル体が上記基板を横切る方向に駆動されるアーム体と、
上記ノズル体が上記基板の周辺部から中心部に向かうときに上記アーム体の移動速度を次第に増加させ、中心部から周辺部に向かうときには速度を次第に低下させるよう上記アーム体の移動速度を制御する制御手段と
を具備したことを特徴とする基板の処理装置。
IPC (5件):
H01L 21/306
, H01L 21/683
, H01L 21/304
, B08B 3/02
, H01L 21/027
FI (9件):
H01L21/306 R
, H01L21/68 N
, H01L21/304 643A
, H01L21/304 643C
, H01L21/304 648G
, B08B3/02 B
, B08B3/02 D
, H01L21/30 569C
, H01L21/30 572B
Fターム (51件):
3B201AA02
, 3B201AA03
, 3B201AB34
, 3B201AB42
, 3B201BB23
, 3B201BB32
, 3B201BB44
, 3B201BB45
, 3B201BB82
, 3B201BB92
, 3B201CC01
, 3B201CC13
, 3B201CD43
, 5F031CA02
, 5F031FA01
, 5F031FA07
, 5F031HA12
, 5F031HA59
, 5F031KA08
, 5F031MA24
, 5F043DD13
, 5F043EE07
, 5F043EE08
, 5F043EE27
, 5F046LA03
, 5F046LA13
, 5F157AB02
, 5F157AB13
, 5F157AB33
, 5F157AB42
, 5F157AB90
, 5F157AC01
, 5F157AC26
, 5F157BB23
, 5F157BB24
, 5F157BB45
, 5F157BB66
, 5F157BH18
, 5F157CA03
, 5F157CA04
, 5F157CA05
, 5F157CB03
, 5F157CB13
, 5F157CE07
, 5F157CE10
, 5F157CE24
, 5F157CE25
, 5F157CE32
, 5F157CE36
, 5F157CF34
, 5F157DB37
引用特許:
出願人引用 (12件)
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基板の処理装置及び処理方法、ノズル体
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-212869
出願人:芝浦メカトロニクス株式会社
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特開昭54-125981
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特開昭56-125842
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審査官引用 (11件)
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特開昭54-125981
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特開昭56-125842
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特開昭58-122732
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