特許
J-GLOBAL ID:200903017337791579

基板処理装置および基板処理方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 振角 正一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-293344
公開番号(公開出願番号):特開2003-093943
出願日: 2001年09月26日
公開日(公表日): 2003年04月02日
要約:
【要約】【課題】 基板の種類などに拘束されず、いかなる現像処理済基板に対しても十分なリンス液を供給して該基板を良好にリンス処理することができる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】 窒素ガス供給源から供給される窒素ガスと、液体供給源から供給される液体とをノズル31で混合形成した混合物をリンス液Kとして現像処理済の基板Wに供給されてリンス処理を実行しているので、リンス処理に際してノズル31から基板Wへの吐出量に制限がなく、基板Wに応じて吐出量を任意に設定することができ、如何なる基板Wに対しても十分なリンス液Kを供給することができる。また、高圧ポンプを使用する必要がないので、装置コストを低減することができるとともに、高圧ポンプを配設するスペースが不要となり、装置の小型化を図ることができる。
請求項(抜粋):
基板に現像液を供給して現像処理を行った後、該基板にリンス液を供給してリンス処理する基板処理装置において、基板を保持する基板保持ユニットと、前記基板保持ユニットに保持された基板に前記現像液を供給する現像液供給ユニットと、気体を連続的に供給可能な気体供給源から供給される気体と、液体を連続的に供給可能な液体供給源から供給される液体とを混合させて混合物を調製し、該混合物を前記リンス液としてリンス液供給ノズルから、前記基板保持ユニットに保持された現像処理済の基板に吐出するリンス液供給ユニットとを備えたことを特徴とする基板処理装置。
IPC (6件):
B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 ,  B05D 3/10 ,  H01L 21/027 ,  G03F 7/30 502
FI (6件):
B05C 5/00 101 ,  B05C 11/08 ,  B05D 1/40 A ,  B05D 3/10 F ,  G03F 7/30 502 ,  H01L 21/30 569 C
Fターム (26件):
2H096AA25 ,  2H096AA27 ,  2H096GA17 ,  2H096GA29 ,  2H096GA31 ,  4D075AC64 ,  4D075AC94 ,  4D075BB57Z ,  4D075BB65Z ,  4D075CA47 ,  4D075DA08 ,  4D075DB13 ,  4D075DC27 ,  4D075EA60 ,  4F041AA02 ,  4F041AA05 ,  4F041AB01 ,  4F041AB08 ,  4F041BA31 ,  4F041BA43 ,  4F042AA02 ,  4F042AA08 ,  4F042EB08 ,  5F046LA03 ,  5F046LA04 ,  5F046LA14
引用特許:
審査官引用 (21件)
  • 半導体ウェーハの洗浄装置及び洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平8-309494   出願人:三星電子株式会社
  • 洗浄方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-248601   出願人:大陽東洋酸素株式会社
  • 枚葉回転処理方法及びその装置
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-273294   出願人:東京エレクトロン株式会社
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