特許
J-GLOBAL ID：201003048317832736

磁性体セラミック、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法

発明者：
山本 篤史

山本 篤史 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 國弘 安俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-126814
公開番号（公開出願番号）：特開2010-278075
出願日： 2009年05月26日
公開日（公表日）： 2010年12月09日
要約：
【課題】磁気損失が小さく、安価なCuと同時焼成することが可能な高周波用の磁性体セラミック、該磁性体セラミックを使用した非可逆回路部品等のセラミック電子部品、及び該セラミック電子部品の製造方法を実現する。【解決手段】主成分が、ビスマスを含まないガーネット型フェライト系材料で形成されると共に、Cu酸化物が0.25〜2.50重量%の範囲で含有され、かつ、酸素分圧が1.0×100〜1.0×10-3Paの雰囲気で焼成されてなり、強磁性共鳴半値幅ΔHが4000A/m以下の磁性体セラミックを得る。磁性体セラミックと前記導電部とが同時焼成されてなり、同時焼成後の降温過程中で500°C〜700°Cになった時点で、F2O3-Fe3O4の平衡酸素分圧以上であってかつCu-Cu2Oの平衡酸素分圧以下の酸素分圧で熱処理する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
主成分が、ビスマスを含まないガーネット型フェライト系材料で形成されると共に、Cu酸化物が0.25〜2.50重量%の範囲で含有され、 かつ、酸素分圧が1.0×100〜1.0×10-3Paの雰囲気で焼成されてなることを特徴とする磁性体セラミック。
IPC (4件)：
H01F 1/34 ,  H01F 17/00 ,  C04B 35/26 ,  H01F 41/04
FI (4件)：
H01F1/34 J ,  H01F17/00 C ,  C04B35/26 H ,  H01F41/04 C
Fターム (30件)：
4G018AA08 ,  4G018AA12 ,  4G018AA17 ,  4G018AA24 ,  4G018AA28 ,  4G018AA30 ,  4G018AA33 ,  4G018AB06 ,  4G018AC01 ,  4G018AC05 ,  4G018AC07 ,  4G018AC14 ,  4G018AC16 ,  4G018AC17 ,  5E041AB15 ,  5E041AB19 ,  5E041BD01 ,  5E041CA10 ,  5E041HB03 ,  5E041HB15 ,  5E041NN02 ,  5E041NN15 ,  5E041NN18 ,  5E062DD10 ,  5E070AA20 ,  5E070AB10 ,  5E070BA12 ,  5E070BB10 ,  5E070CB02 ,  5E070CB13
引用特許：
出願人引用 (6件)
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