特許

J-GLOBAL ID：201003048537543042

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 坪根 恒彦 ,  北田 裕穂 ,  酒井 洋輔 ,  吉岡 健 ,  大本 豊 ,  薬師寺 守 ,  高妻 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-168048
公開番号（公開出願番号）：特開2010-010397
出願日： 2008年06月27日
公開日（公表日）： 2010年01月14日
要約：

【課題】 生産性を高くすることのできるプラズマ処理装置またはプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】 真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内に配置され内部を冷媒が通流する通路と、前記試料台の上面を構成する誘電体製の膜内に配置され同心上に配置された膜状のヒータと、前記通路を通して循環される前記冷媒の温度を各々異なる温度に調節する複数の温度調節器と、これら複数の温度調節器から供給される前記冷媒の前記通路を通した循環を切替える制御装置とを備えた。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

真空容器内部の処理室内に配置された試料台上面に載せられた試料をこの処理室内に形成したプラズマを用いて処理するプラズマ処理装置であって、前記試料台内に配置され内部を冷媒が通流する通路と、前記試料台の上面を構成する誘電体製の膜内に配置され同心上に配置された膜状のヒータと、前記通路を通して循環される前記冷媒の温度を各々異なる温度に調節する複数の温度調節器と、これら複数の温度調節器から供給される前記冷媒の前記通路を通した循環を切替える制御装置とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (1件)：

H01L 21/306

FI (1件)：

H01L21/302 101G

Fターム (9件)：

5F004AA16 ,  5F004BA14 ,  5F004BA20 ,  5F004BB14 ,  5F004BB25 ,  5F004BB26 ,  5F004BB29 ,  5F004CA04 ,  5F004CB12

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 基板の温度を制御する方法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-295533   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-248892   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 二重温度帯を有する静電チャックをもつ基板支持体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-119297   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド

審査官引用 (4件)

• ドライエッチング処理方法及びドライエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-293596   出願人：ソニー株式会社
• ドライエツチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-326453   出願人：日本電気株式会社
• 真空処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-248892   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-016328   出願人：株式会社東芝