低誘電率膜特性の回復

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：長谷川芳樹 , 山田行一 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-149030
公開番号（公開出願番号）：特開2010-004049
出願日： 2009年06月23日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】低誘電率膜の誘電率を回復させる方法を記載する。【解決手段】複数の孔を持つ多孔質誘電体層を基板上に形成する。その後、複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電体層を得る。最後に、複数の孔から添加剤を除去する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

低誘電率膜の誘電率を回復させる方法であって: 基板上に、複数の孔を持つ多孔質誘電体層を形成するステップと; 前記複数の孔を添加剤で充填して、塞がれた多孔質誘電層を得るステップと; 前記複数の孔から前記添加剤を除去するステップと; を含む、前記方法。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/316 , H01L 21/312

FI (4件)：

H01L21/90 P , H01L21/90 N , H01L21/316 P , H01L21/312 C

Fターム (29件)：

5F033HH11 , 5F033HH19 , 5F033MM01 , 5F033QQ09 , 5F033QQ16 , 5F033QQ48 , 5F033QQ74 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033RR13 , 5F033RR29 , 5F033SS11 , 5F033TT01 , 5F033WW00 , 5F033WW01 , 5F033WW03 , 5F033WW05 , 5F033WW09 , 5F033XX24 , 5F058AA10 , 5F058AC03 , 5F058AD05 , 5F058AF01 , 5F058AG01 , 5F058AG08 , 5F058AG09 , 5F058AG10 , 5F058AH02 , 5F058BA20

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-295237 出願人：株式会社東芝
還元性雰囲気下における絶縁膜の硬化
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-169253 出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド
機械的特性が改善された多孔性低k層を有するダマシン相互接続
公報種別：公表公報出願番号：特願2009-502996 出願人：ソニー株式会社, ソニーエレクトロニクスインク

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