半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-295237
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110789
出願日： 2000年09月27日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】水による低誘電率絶縁膜のクラックの進行を安価に抑制すること。【解決手段】低誘電率絶縁膜4中に界面活性剤5を浸透させることによって、クラックの進行の原因となる低誘電率絶縁膜4の水の吸収を防止する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にシロキサン結合を主骨格として有する低誘電率絶縁膜を形成する工程と、前記低誘電率絶縁膜中に界面活性剤を浸透させる工程と、前記界面活性剤が浸透された前記低誘電率絶縁膜が水に晒され得る状態で、所定の工程を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/768 , H01L 21/316 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/316 P , H01L 21/90 K , H01L 21/88 K

Fターム (36件)：

5F033HH11 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033JJ01 , 5F033JJ11 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033MM01 , 5F033MM02 , 5F033MM12 , 5F033MM13 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP26 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033QQ50 , 5F033QQ74 , 5F033RR01 , 5F033RR04 , 5F033RR29 , 5F033SS22 , 5F033XX01 , 5F033XX17 , 5F033XX24 , 5F058AD05 , 5F058AF01 , 5F058AF04 , 5F058AG10 , 5F058BA04 , 5F058BD04 , 5F058BF02 , 5F058BF46 , 5F058BH20

引用特許：

審査官引用 (8件)

非常に低い誘電率プラズマ強化CVD膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-010570 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
Cu合金膜の形成方法および半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-121051 出願人：ソニー株式会社
シリカ系多孔質膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-368016 出願人：新日本製鐵株式会社

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