特許
J-GLOBAL ID：201003049134230938

半導体装置の製造方法

発明者：
原 明人

原 明人 について


出願人/特許権者：
学校法人東北学院

学校法人東北学院 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-134480
公開番号（公開出願番号）：特開2010-267943
出願日： 2009年05月13日
公開日（公表日）： 2010年11月25日
要約：
【課題】ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン(Si)太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。【解決手段】多結晶シリコン(Si)太陽電池である半導体装置の製造方法において、半導体励起(ダイオード励起)された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Si層の表面側の領域に、P型領域とN型領域を、近接して設けてPN接合を形成すること、さらにP型領域とN型領域を結ぶ方向が多結晶Siの結晶粒界の走る方向と概略平行になるようにすること、部分的にSi層の存在しない領域を含むようにして半透明な半導体装置になるようにしたこと特徴とする半導体装置の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体励起(ダイオード励起)された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン(Si)薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Si層の表面側の異なる領域で、かつ近接する領域にPN接合を有し、さらにPN接合の配列の方向は多結晶Siの結晶粒界の方向と概略平行であり、部分的にSi層の存在しない領域を含むことを特徴とするガラス上の安価で高効率な半透明薄膜系多結晶Si太陽電池。
IPC (3件)：
H01L 31/04 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/20
FI (4件)：
H01L31/04 A ,  H01L21/265 602C ,  H01L21/20 ,  H01L21/265 602A
Fターム (32件)：
5F051AA03 ,  5F051BA11 ,  5F051CA15 ,  5F051CB19 ,  5F051CB22 ,  5F051CB25 ,  5F051DA04 ,  5F051GA03 ,  5F151AA03 ,  5F151BA11 ,  5F151CA15 ,  5F151CB19 ,  5F151CB22 ,  5F151CB25 ,  5F151DA04 ,  5F151GA03 ,  5F152AA06 ,  5F152BB09 ,  5F152CC02 ,  5F152CE05 ,  5F152CE14 ,  5F152CE24 ,  5F152CE28 ,  5F152CE32 ,  5F152FF07 ,  5F152FF47 ,  5F152FG01 ,  5F152FG18 ,  5F152FH02 ,  5F172AE09 ,  5F172EE13 ,  5F172EE19
引用特許：
審査官引用 (8件)
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