特許
J-GLOBAL ID：200903000571957600
レーザアニール装置及びTFT基板のレーザアニール方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-259521
公開番号（公開出願番号）：特開2004-103628
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
要約：
【課題】簡単な光学系で連続発振レーザ光を線状に成形し、レーザを照射すべき領域のみに正確に照射して、シリコン膜及び基板に熱的なダメージを与えることなく実質的に単結晶と同等の多結晶シリコン膜を得る。【解決手段】プリズムでレーザ光を2分割して偏向させ、分割された各レーザ光の偏光方向を直交させて重ねて、偏向方向に対しては均一なエネルギ分布とし、それと直交する方向にはシリンドリカルレンズで集光する、あるいはパウエルレンズとシリンドリカルレンズの組み合わせで線状のビームを形成する。このビームを、レーザ照射を必要とする複数の領域に、ステージが停止することなく連続して走査しながら照射してアニールを行うことにより、レーザを照射した領域のみに実質的に単結晶と同等の特性を有する多結晶シリコン膜が形成される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板を載置して移動可能なステージ手段と、上記ステージの位置を検出する位置検出手段と、空間分布が円形でガウス形の分布を有する連続発振レーザ光を発生するレーザ光源手段と、前記レーザ光源手段から発生した連続発振レーザ光のON/OFF(通過/非通過)を行う変調手段と、上記変調手段を通過した上記連続発振レーザ光を長手方向には均一で、幅方向にはガウス形の分布を有する線状あるいは帯状に成形する成形光学手段と、上記線状あるいは帯状に成形されたレーザ光を前記基板上に照射する照射光学手段と、上記ステージ手段および変調手段を制御する制御手段とを有し、上記位置検出手段で検出された位置が予め設定された位置と一致した時点で上記制御手段で上記変調手段をレーザ光通過状態とすることで、上記ステージ手段を連続的に移動させながら任意の領域に連続発振レーザ光を照射することを特徴とするレーザアニール装置。
IPC (4件)：
H01L21/268
, H01L21/20
, H01L21/336
, H01L29/786
H01L21/268 J
, H01L21/20
, H01L29/78 627G
5F052AA02
, 5F052BA07
, 5F052BA12
, 5F052BA18
, 5F052BB01
, 5F052BB02
, 5F052BB07
, 5F052CA07
, 5F052DA01
, 5F052DA02
, 5F052EA12
, 5F052JA01
, 5F110AA01
, 5F110BB02
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD13
, 5F110DD14
, 5F110DD17
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG15
, 5F110GG16
, 5F110GG25
, 5F110HJ15
, 5F110HJ23
, 5F110NN02
, 5F110NN78
, 5F110PP03
, 5F110PP05
, 5F110PP06
, 5F110PP23
, 5F110PP24
, 5F110PP29
, 5F110PP36
