特許

J-GLOBAL ID：201003050131527148

2重量子ドット帯電型整流素子

発明者： 天羽 真一 ,  久保 敏弘 ,  羽田野 剛司 ,  寺岡 総一郎 ,  柴富 昭洋 ,  樽茶 清悟
出願人/特許権者： 独立行政法人科学技術振興機構
代理人 (2件)： 柏原 三枝子 ,  高橋 剛一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-160932
公開番号（公開出願番号）：特開2010-003840
出願日： 2008年06月19日
公開日（公表日）： 2010年01月07日
要約：

【課題】 2重量子ドットを用い、量子ドット間のクーロンブロッケイド現象を利用して整流素子を構成する。【解決手段】 2つの量子ドットで構成され該量子ドット間の単一電子トンネリングにおけるクーロンブロッケイド現象により整流を行う2重量子ドット帯電型整流器において、第1の量子ドット1及び第2の量子ドット2と、量子ドット1をソース電極3に接続する第1のトンネル接合5と、量子ドット1を量子ドットに接続する第1の容量接合7と、量子ドット1をドレイン電極4に接続する第2のトンネル接合6と、量子ドット2をソース電極3に接続する第3のトンネル接合8と、量子ドット2をレイン電極4に接続する第2の容量接合9とを備える。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

2つの量子ドットで構成され該量子ドット間の単一電子トンネリングにおけるクーロンブロッケイド現象により整流を行う2重量子ドット帯電型整流素子において、第1の量子ドット及び第2の量子ドットと、前記第1の量子ドットをソース電極に接続する第1のトンネル接合と、前記第1の量子ドットを前記第2の量子ドットに接続する第1の容量接合と、前記第1の量子ドットをドレイン電極に接続する第2のトンネル接合と、前記第2の量子ドットを前記ソース電極に接続する第3のトンネル接合と、前記第2の量子ドットを前記ドレイン電極に接続する第2の容量接合とを備えることを特徴とする2重量子ドット帯電型整流素子。

IPC (2件)：

H01L 29/66 ,  H01L 29/06

FI (2件)：

H01L29/66 S ,  H01L29/06 601D

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 量子ドットダイオード型整流器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-105914   出願人：科学技術振興事業団
• 負性抵抗素子およびその製造方法ならびに単電子トンネル素子およびその製造方法ならびに光センサおよびその製造方法ならびに機能素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-173394   出願人：ソニー株式会社
• 半導体記憶装置、半導体装置及びそれらの製造方法、並びに携帯電子機器、並びにICカード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-141794   出願人：シャープ株式会社
• 半導体記憶装置および半導体装置およびICカードおよび携帯電子機器および半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-138540   出願人：シャープ株式会社