特許
J-GLOBAL ID：200903084062465098

負性抵抗素子およびその製造方法ならびに単電子トンネル素子およびその製造方法ならびに光センサおよびその製造方法ならびに機能素子およびその製造方法

発明者：
伊藤 大輔

伊藤 大輔 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-173394
公開番号（公開出願番号）：特開2008-004791
出願日： 2006年06月23日
公開日（公表日）： 2008年01月10日
要約：
【課題】簡単なプロセスにより低コストで製造することができ、基板選択性も高く、常温を含むより高温で動作可能でしかもノイズにも強い負性抵抗素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板11上にゲート絶縁膜12を形成し、その上にZnOなどの酸化物半導体から成る複数のナノドット13aが一面内において二重ショットキー障壁13bを介して互いに接合した多重ナノドット構造体13を形成し、その上にソース電極14およびドレイン電極15を形成することにより、MOSFET構造のトンネル負性抵抗素子を構成する。ナノドット13aの径は60nm以下または20nm以下にする。このトンネル負性抵抗素子を単電子トランジスタ、単電子ポンプ、単電子メモリなどとして用いる。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
酸化物半導体から成る複数のナノドットが一面内において二重ショットキー障壁を介して互いに接合した多重ナノドット構造体によりチャネル領域が構成された電界効果トランジスタから成ることを特徴とする負性抵抗素子。
IPC (6件)：
H01L 29/66 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/10 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/80 ,  H01L 21/336
FI (9件)：
H01L29/66 S ,  H01L29/78 622 ,  H01L27/10 451 ,  H01L29/06 601N ,  H01L29/80 A ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/06 601D
Fターム (46件)：
5F083FZ01 ,  5F083GA11 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA14 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F102FB03 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB05 ,  5F110BB09 ,  5F110BB13 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF29 ,  5F110GG01 ,  5F110GG42 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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