特許
J-GLOBAL ID:201003050395541599

複合材料及びその製造方法、並びにその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 河野 広明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-211184
公開番号(公開出願番号):特開2010-047790
出願日: 2008年08月19日
公開日(公表日): 2010年03月04日
要約:
【課題】シリコン表面とめっき材との密着性が高められた複合材料と、その複合材料の製造方法、並びにその製造装置を提案する。【解決手段】 少なくとも最上層にシリコン層が形成されている母材であるシリコン基板102の表面を金(Au)のイオンを含有する第1溶液に浸漬することにより、その母材の表面上にそのシリコン層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の第1金属である金(Au)を分散配置する分散配置工程と、その金(Au)が触媒活性を示す還元剤及びその還元剤により還元され得る金属のイオンを含有する第2溶液24に浸漬することにより、金(Au)を起点として、そのシリコン基板102の表面が、自己触媒型無電解めっき法により形成された前述の金属又はその金属の合金108によって覆われるめっき工程とを含んでいる。【選択図】図3
請求項(抜粋):
少なくとも最上層にシリコン層が形成されている母材の表面を金(Au)のイオンを含有する第1溶液に浸漬することにより、前記母材の表面上に前記シリコン層の一部と置き換えられた粒子状又はアイランド状の前記金(Au)を分散配置する分散配置工程と、 前記金(Au)が触媒活性を示す還元剤及び前記還元剤により還元され得る金属のイオンを含有する第2溶液に浸漬することにより、前記金(Au)を起点として、前記母材の表面が、自己触媒型無電解めっき法により形成された前記金属又は前記金属の合金によって覆われるめっき工程とを含む 複合材料の製造方法。
IPC (3件):
C23C 18/16 ,  C23C 18/18 ,  C23C 18/44
FI (3件):
C23C18/16 B ,  C23C18/18 ,  C23C18/44
Fターム (5件):
4K022AA05 ,  4K022BA03 ,  4K022BA32 ,  4K022CA06 ,  4K022DA01
引用特許:
出願人引用 (10件)
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