特許
J-GLOBAL ID：200903054097013177

磁性薄膜、その製造方法及び磁気センサーデバイス

発明者：
田 透

田 透 について

, 
岩崎 達哉

岩崎 達哉 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 渡辺 徳廣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-101829
公開番号（公開出願番号）：特開平11-283829
出願日： 1998年03月31日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 抵抗値が高いGMR等の機能を有する磁性薄膜を提供する。【解決手段】 基体上にポーラス状のSiもしくはSi化合物からなるポーラス層を有し、該ポーラス層中に磁性粒子が分散された構造を有する磁性薄膜。
請求項（抜粋）：
基体上にポーラス状のSiもしくはSi化合物からなるポーラス層を有し、該ポーラス層中に磁性粒子が分散された構造を有することを特徴とする磁性薄膜。
IPC (3件)：
H01F 10/00 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/12
FI (3件)：
H01F 10/00 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/12
引用特許：
審査官引用 (18件)
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