SOI基板の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-229202
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109356
出願日： 2009年10月01日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：

【課題】単結晶半導体層とベース基板との密着性を向上させ、貼り合わせ不良を低減することを目的の一とする。【解決手段】半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、半導体基板に第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜を介して半導体基板に加速されたイオンを照射することにより、半導体基板に脆化領域を形成し、第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜の表面とベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、脆化領域において分離することにより、ベース基板上に第1及び第2の絶縁膜を介して半導体層を形成し、半導体層にエッチング処理を行い、エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面にラジカル処理を行うことにより、前記半導体基板に第1の絶縁膜を形成し、加速されたイオンを前記第1の絶縁膜を介して前記半導体基板に照射することにより、前記半導体基板に脆化領域を形成し、前記第1の絶縁膜上に第2の絶縁膜を形成し、前記半導体基板と、ベース基板とを対向させ、前記第2の絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させ、前記第2の絶縁膜の表面と前記ベース基板の表面とを接合させた後に熱処理を行い、前記脆化領域において分離することにより、前記ベース基板上に前記第1及び第2の絶縁膜を介して半導体層を形成し、前記半導体層にエッチング処理を行い、前記エッチング処理が行われた半導体層にレーザビームを照射することを特徴とするSOI基板の作製方法。

IPC (5件)：

H01L 21/02 , H01L 27/12 , H01L 21/265 , H01L 21/20 , H01L 21/316

FI (5件)：

H01L27/12 B , H01L27/12 R , H01L21/265 Q , H01L21/20 , H01L21/316 P

Fターム (49件)：

5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BC08 , 5F058BC11 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD09 , 5F058BD15 , 5F058BF02 , 5F058BF69 , 5F058BH15 , 5F058BJ01 , 5F152AA12 , 5F152AA13 , 5F152BB02 , 5F152CC02 , 5F152CC03 , 5F152CC06 , 5F152CD13 , 5F152CD14 , 5F152CD15 , 5F152CD16 , 5F152CE03 , 5F152CE06 , 5F152CE08 , 5F152CE29 , 5F152FF01 , 5F152FF11 , 5F152FF13 , 5F152FF28 , 5F152LL04 , 5F152LL16 , 5F152LL18 , 5F152LP01 , 5F152LP07 , 5F152MM04 , 5F152NN12 , 5F152NN13 , 5F152NN14 , 5F152NN16 , 5F152NP11 , 5F152NP12 , 5F152NP13 , 5F152NP14 , 5F152NQ03 , 5F152NQ04 , 5F152NQ05 , 5F152NQ06 , 5F152NQ17

引用特許：

審査官引用 (7件)

SOIウエーハの製造方法及びSOIウエーハ
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-208711 出願人：信越半導体株式会社
ゲート酸化膜の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-036369 出願人：日本電気株式会社
半導体装置の製造方法及び製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-087920 出願人：株式会社東芝

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