特許
J-GLOBAL ID：201003054644662429

トランスファモールド金型およびトランスファモールド装置とこれを用いた樹脂成形方法と半導体装置

発明者：
小林 一彦

小林 一彦 について


出願人/特許権者：
アピックヤマダ株式会社

アピックヤマダ株式会社 について


代理人 (2件)： 綿貫 隆夫 ,  堀米 和春
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-281431
公開番号（公開出願番号）：特開2010-109252
出願日： 2008年10月31日
公開日（公表日）： 2010年05月13日
要約：
【課題】フリップチップ形式で半導体チップが搭載された半導体装置に対して確実にアンダーフィルをすると共に、フィレット部を形成すること。【解決手段】上金型20に形成されたエア流路70と、上金型20から下金型30へ向けられ、上金型20の型面にはゲート16およびキャビティ50を形成するキャビティ壁26が形成され、キャビティ壁26が先端側に向けてキャビティ50を拡げる傾斜壁面をなし、キャビティ50内に収容される半導体装置60の半導体チップ64の平面領域よりも外方位置にエア流路70が開口し、キャビティ壁26に吸着したリリースフィルム80へのエア給排状態を切り替えることにより、キャビティ50内のリリースフィルム80のセット状態を切り替えて、配線基板62と半導体チップ64との間にアンダーフィル樹脂90を充てんした後に引き続きフィレット部66を形成することができる構成を採用した。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ポットと、前記ポット内を摺動して前記ポットに供給された封止用樹脂をカル、ランナおよびゲートを介してキャビティに圧送するプランジャと、上金型に形成されたエア流路と、前記上金型から下金型へ向けて突出させて設けられ、前記ゲートおよび前記キャビティを形成するためのキャビティ壁と、を有し、 前記キャビティ内に収容される、半導体チップがフリップチップ接続方式で配線基板に搭載された半導体装置にフィレット部を成形すべく、前記キャビティ壁の内壁面が、先端側に向けて前記キャビティを拡げるように傾斜する傾斜壁面に形成され、 前記半導体チップの平面領域よりも外方位置における前記キャビティ内の上面に、エア給排装置に連通するエア流路の一端が開口し、 前記上金型の型面に吸着させたリリースフィルムを前記半導体チップの上面に押圧させた状態で、 前記エア流路が前記キャビティ内にエアを吹き出すことにより、前記傾斜壁面から離反させた前記リリースフィルムを前記配線基板における前記半導体チップの搭載面に密着させて、前記半導体チップと前記配線基板との間に前記封止用樹脂を充てん可能にする第1の状態と、 前記エア流路が前記キャビティ内へのエアの吹き出し圧力を前記第1の状態よりも低減若しくはエアを吸引させることにより、前記リリースフィルムを前記傾斜壁面に密着させて、フィレット部を形成可能にする第2の状態と、が切り替え可能であることを特徴とするトランスファモールド金型。
IPC (5件)：
H01L 21/56 ,  B29C 45/02 ,  B29C 33/18 ,  B29C 33/68 ,  B29C 45/27
FI (5件)：
H01L21/56 T ,  B29C45/02 ,  B29C33/18 ,  B29C33/68 ,  B29C45/27
Fターム (35件)：
4F202AD03 ,  4F202AD05 ,  4F202AD08 ,  4F202AD19 ,  4F202AD20 ,  4F202AH33 ,  4F202AH37 ,  4F202CA12 ,  4F202CB01 ,  4F202CB12 ,  4F202CB17 ,  4F202CB20 ,  4F202CM72 ,  4F202CQ01 ,  4F202CQ06 ,  4F206AD03 ,  4F206AD05 ,  4F206AD08 ,  4F206AD19 ,  4F206AD20 ,  4F206AH33 ,  4F206AH37 ,  4F206JA02 ,  4F206JB12 ,  4F206JB17 ,  4F206JB20 ,  4F206JF05 ,  5F061AA01 ,  5F061BA03 ,  5F061BA07 ,  5F061CA21 ,  5F061DA01 ,  5F061DA11 ,  5F061DB02 ,  5F061EA02
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-271339   出願人：松下電器産業株式会社
審査官引用 (6件)
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