特許
J-GLOBAL ID：201003056335811781
電流分散のための電極延長部を有する発光ダイオード
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人高橋・林アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-529091
公開番号（公開出願番号）：特表2010-504640
出願日： 2006年09月25日
公開日（公表日）： 2010年02月12日
要約：
電流分散の改善のための電極延長部を有する発光ダイオードが開示される。この発光ダイオードは、基板上に形成された下部半導体層、上部半導体層、及び活性層を有する。前記上部半導体層は、前記下部半導体層の周縁領域が露出されるように、前記下部半導体層の上部に設けられ、かつ前記下部半導体層を露出させるために前記基板の角部に時計回りまたは反時計回りに隣接した周縁位置から、それぞれ対角線方向に平行に湾入される湾入部を有する。前記湾人部は互いに離隔する端部を有する。一方、下部電極が前記基板の第1角部に対応する前記下部半導体層の露出領域上に形成され、及び上部電極が前記上部半導体層上の透明電極層上に形成される。前記下部電極から延長された下部延長部が、前記下部半導体層の露出周縁領域上及び前記湾入部により露出した前記下部半導体層の領域上に形成され、前記上部電極から延長された上部延長部が、前記透明電極層上に形成される。前記下部及び上部延長部によって、特に大面積発光ダイオードの電流分散が改善される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に形成された下部半導体層と、
前記下部半導体層の周縁領域が露出されるように前記下部半導体層の上部に設けられ、前記下部半導体層を露出させるために前記基板の各角部に時計回りまたは反時計回りに隣接した周縁領域の位置からそれぞれ対角線方向に平行に湾入されて端部が互いに離隔した湾入部を有する上部半導体層と、
前記下部半導体層と前記上部半導体層との間に配置された活性層と、
前記基板の第1角部に対応する前記下部半導体層の露出領域上に形成された下部電極と、
前記上部半導体層上に形成された透明電極層と、
前記基板の第2角部に対応する前記透明電極層上に形成された上部電極と、
前記下部電極から延長され前記下部半導体層の露出周縁領域上及び前記湾入部により露出した前記下部半導体層の領域上に形成された下部延長部と、
前記透明電極層上に形成されかつ前記上部電極から延長された上部延長部と、を備えることを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA40
, 5F041CA88
, 5F041CA93
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (7件)
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