特許
J-GLOBAL ID：200903092273501670

発光ダイオード

発明者：
平岡 晋

平岡 晋 について

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工藤 広光

工藤 広光 について

, 
岡川 広明

岡川 広明 について


出願人/特許権者：
三菱電線工業株式会社

三菱電線工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-342875
公開番号（公開出願番号）：特開2006-156590
出願日： 2004年11月26日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】光透過性の電極膜と金属膜とが複合化された電極を備えた従来のGaN系LEDにおいては、発光が金属膜の射影領域において最も強くなるが、直上に位置する金属膜によって外部への取り出しが妨げられるために、発光効率が低下するという問題がある。【解決手段】本発明に係るGaN系LEDは、金属材料からなる電流拡散層と、透光性電極層とが複合化された電極を備え、電流拡散層と窒化物半導体層との界面の接触抵抗が、透光性電極層と窒化物半導体層との界面の接触抵抗よりも大きくなるように、窒化物半導体層の伝導型に合わせて、電流拡散層および透光性電極層の材料が選択される。そのため、窒化物半導体層に供給される電流は、透光性電極層と窒化物半導体層との界面を横切る経路に集中し、電流拡散層の射影領域での発光が抑制される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、 上記基板の上に形成された、n型層およびp型層を含む複数の窒化物半導体層からなる積層体と、 上記積層体の上面に部分的に形成された、金属からなる電流拡散層と、 上記電流拡散層が形成されていない領域に露出した上記積層体の上面に、上記電流拡散層と電気的に接続されるように形成された透光性電極層とを有し、 上記積層体と上記電流拡散層との界面の接触抵抗が、上記積層体と上記透光性電極層との界面の接触抵抗よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00
FI (1件)：
H01L33/00 C
Fターム (9件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA40 ,  5F041CA74 ,  5F041CA87 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CA93
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (4件)
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