特許
J-GLOBAL ID：201003056442065952
弾性波デバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-207309
公開番号（公開出願番号）：特開2010-045533
出願日： 2008年08月11日
公開日（公表日）： 2010年02月25日
要約：
【課題】櫛型電極の周囲に空隙が無く、かつ誘電体層がその表面が平坦となる弾性波デバイスを提供する。【解決手段】弾性波デバイスの製造方法は、圧電基板1上に設けられた弾性波を励振する櫛型電極2と、櫛型電極2を覆うように設けられた誘電体層3を具備する弾性波デバイスの製造方法であって、圧電基板1に櫛型電極2を形成する工程と、櫛型電極1を覆うように、櫛型電極1の膜厚より厚い膜厚を有する誘電体層3を形成する工程と、誘電体層3を覆うようにエッチバック層4を形成する工程と、エッチバック層4と誘電体層3の一部をエッチングまたは研磨する工程とを有する。エッチングまたは研磨する工程において、エッチバック層4を削る速さと誘電体層3を削る速さが等しくなる条件で、エッチバック層が全て除去されるまでエッチングまたは研磨がなされる。【選択図】図1E
請求項（抜粋）：
圧電基板上に設けられた弾性波を励振する櫛型電極と、前記櫛型電極を覆うように設けられた誘電体層を具備する弾性波デバイスの製造方法であって、
前記圧電基板に櫛型電極を形成する工程と、
前記櫛型電極を覆うように、前記櫛型電極の膜厚より厚い膜厚を有する誘電体層を形成する工程と、
前記誘電体層を覆うようにエッチバック層を形成する工程と、前記エッチバック層と誘電体層の一部をエッチングまたは研磨する工程とを有し、
前記エッチングまたは研磨する工程において、前記エッチバック層を削る速さと誘電体層を削る速さが等しくなる条件で、エッチバック層が全て除去されるまでエッチングまたは研磨する、弾性波デバイスの製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5J097AA01
, 5J097AA28
, 5J097BB11
, 5J097DD29
, 5J097FF03
, 5J097HA02
, 5J097KK09
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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