特許
J-GLOBAL ID:201003056931604165
多層素子及び多層素子を製造する方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
木村 満
, 毛受 隆典
, 森川 泰司
, 中村 承平
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-549821
公開番号(公開出願番号):特表2010-518651
出願日: 2008年02月11日
公開日(公表日): 2010年05月27日
要約:
多層素子は、少なくとも1つの第1内部電極1及び少なくとも1つの第2内部電極2が配置された本体5を有する。これらの内部電極1、2は、少なくとも1つの側面において、本体5の表面まで広がる重複領域12を有する。さらに、内部電極1、2は本体の角領域5に凹部7を有する。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
少なくとも1つの第1内部電極(1)と、少なくとも1つの第2内部電極(2)とが配置された本体(5)を備え、
前記第1及び第2内部電極(1、2)は、少なくとも1側面において前記本体(5)の表面まで広がる重複領域(12)を有し、
前記第1及び第2内部電極(1、2)は、前記本体(5)の各角領域に凹部(7)を有する
ことを特徴とする多層素子。
IPC (3件):
H01G 4/30
, H01G 4/12
, H01C 7/10
FI (5件):
H01G4/30 301C
, H01G4/12 352
, H01G4/12 364
, H01G4/30 311D
, H01C7/10
Fターム (20件):
5E001AB03
, 5E001AC02
, 5E001AF06
, 5E034CC03
, 5E034CC06
, 5E034DA07
, 5E034DB01
, 5E034DC01
, 5E082AA01
, 5E082AB03
, 5E082EE04
, 5E082EE16
, 5E082EE35
, 5E082FF05
, 5E082FG04
, 5E082FG26
, 5E082FG54
, 5E082LL01
, 5E082LL02
, 5E082MM24
引用特許:
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