特許
J-GLOBAL ID:201003056931604165

多層素子及び多層素子を製造する方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 木村 満 ,  毛受 隆典 ,  森川 泰司 ,  中村 承平
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-549821
公開番号(公開出願番号):特表2010-518651
出願日: 2008年02月11日
公開日(公表日): 2010年05月27日
要約:
多層素子は、少なくとも1つの第1内部電極1及び少なくとも1つの第2内部電極2が配置された本体5を有する。これらの内部電極1、2は、少なくとも1つの側面において、本体5の表面まで広がる重複領域12を有する。さらに、内部電極1、2は本体の角領域5に凹部7を有する。【選択図】図1A
請求項(抜粋):
少なくとも1つの第1内部電極(1)と、少なくとも1つの第2内部電極(2)とが配置された本体(5)を備え、 前記第1及び第2内部電極(1、2)は、少なくとも1側面において前記本体(5)の表面まで広がる重複領域(12)を有し、 前記第1及び第2内部電極(1、2)は、前記本体(5)の各角領域に凹部(7)を有する ことを特徴とする多層素子。
IPC (3件):
H01G 4/30 ,  H01G 4/12 ,  H01C 7/10
FI (5件):
H01G4/30 301C ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 311D ,  H01C7/10
Fターム (20件):
5E001AB03 ,  5E001AC02 ,  5E001AF06 ,  5E034CC03 ,  5E034CC06 ,  5E034DA07 ,  5E034DB01 ,  5E034DC01 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082EE04 ,  5E082EE16 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG54 ,  5E082LL01 ,  5E082LL02 ,  5E082MM24
引用特許:
審査官引用 (12件)
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