特許
J-GLOBAL ID：201003056939054652

厚みのある擬似格子整合型の窒化物エピタキシャル層

発明者：
ショーウォルター,レオ,ジェイ

ショーウォルター,レオ,ジェイ について

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スマート,ジョセフ,エイ

スマート,ジョセフ,エイ について

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グランダスキー,ジェイムス,アール

グランダスキー,ジェイムス,アール について

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リウ,シウェン

リウ,シウェン について


出願人/特許権者：
クリスタル・イズ,インコーポレイテッド

クリスタル・イズ,インコーポレイテッド について


代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-547307
公開番号（公開出願番号）：特表2010-517298
出願日： 2008年01月25日
公開日（公表日）： 2010年05月20日
要約：
予測臨界厚みを上回る歪みエピタキシャル層を有する半導体構造を製造する。
請求項（抜粋）：
窒化アルミニウム単結晶基板、並びに 前記窒化アルミニウム単結晶基板上にエピタキシャル成長させた少なくとも1つの歪み層であって、AlN、GaN、InN又はそれらの任意の二元若しくは三元の合金の組合せの少なくとも1つを含む層 を備え、 前記歪み層の厚みが、当該歪み層に関する予測臨界厚みを少なくとも5倍で上回る、半導体ヘテロ構造。
IPC (4件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  C23C 16/34
FI (4件)：
H01L21/20 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  C23C16/34
Fターム (39件)：
4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA11 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030JA01 ,  4K030JA05 ,  4K030LA14 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AF04 ,  5F045BB12 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F152LL05 ,  5F152LN03 ,  5F152LN13 ,  5F152LN27 ,  5F152MM04 ,  5F152MM09 ,  5F152MM10 ,  5F152MM16 ,  5F152NN09 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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