特許
J-GLOBAL ID：200903067279763613
エピタキシャル基板、半導体積層構造、転位低減方法およびエピタキシャル形成用基板
発明者：
,
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
吉田 茂明
, 吉竹 英俊
, 有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-352582
公開番号（公開出願番号）：特開2005-210084
出願日： 2004年12月06日
公開日（公表日）： 2005年08月04日
要約：
【課題】低転位密度のIII族窒化物のエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】図1は、第1実施形態に係るエピタキシャル基板1Aの積層構造を示す断面模式図である。エピタキシャル基板1Aは、下地層102、中間層103および目的とするIII族窒化物層104を基材101の上にMOCVD法等を用いて順次にエピタキシャル成長させることにより得られる。エピタキシャル基板1Aでは、下地層102および中間層103もIII族窒化物からなり、中間層103にBを含有させることにより、目的とするIII族窒化物層104の転位密度を下地層の転位密度以下に低下させている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
エピタキシャル基板であって、
基材と、
前記基材上にエピタキシャル形成された複数の層と、
を備え、
前記複数の層が、
B含有III族窒化物層と、
前記B含有III族窒化物層の上に隣接してエピタキシャル形成された、前記B含有III族窒化物層よりも面内格子定数が大きい、目的とするIII族窒化物層と、
を含むことを特徴とするエピタキシャル基板。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (9件)：
5F041AA40
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA65
, 5F041CA77
, 5F041CB36
, 5F052EA11
, 5F052KA01
, 5F052KA05
出願人引用 (1件)
-
半導体素子
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-266928
出願人：日本碍子株式会社
審査官引用 (10件)
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