特許
J-GLOBAL ID：200903040433161332

エピタキシャル基板、半導体素子、エピタキシャル基板の製造方法、およびIII族窒化物結晶における転位偏在化方法

発明者：
柴田 智彦

柴田 智彦 について


出願人/特許権者：
日本碍子株式会社

日本碍子株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-139769
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319107
出願日： 2005年05月12日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：
【課題】結晶品質の良好なIII族窒化物結晶の生成に好適なエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】オフ角が与えられてなるサファイア基材の上にIII族窒化物からなる上部層2を形成したうえで、1500°C以上で、好ましくは1650°C以上で加熱処理を施すことにより、上部層2の結晶品質を向上させるとともに該上部層2の表面に数原子層高さよりも大きな繰り返し段差を与えたエピタキシャル基板10を、III族窒化物結晶層3の成長用下地基板として用いる。III族窒化物結晶は段差部分からステップフロー成長するので、上部層2からの貫通転位はこれに伴い屈曲させられ、その後の結晶成長につれて偏在化する。得られるIII族窒化物結晶層3は良好な表面平坦性を有し、かつ、表面近傍の大部分は転移密度が1×107/cm2程度の低転位領域RE2となる。すなわち、エピタキシャル基板10は結晶品質のよいIII族窒化物結晶形成に好適であるといえる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
エピタキシャル基板であって、 主面に所定のオフ角が与えられてなる基材と、 前記主面上にエピタキシャル形成された第1のIII族窒化物結晶からなる上部層と、 を備え、 前記上部層の形成温度よりも高い加熱温度で加熱処理されてなる、 ことを特徴とするエピタキシャル基板。
IPC (2件)：
H01L 21/20 ,  H01L 21/205
FI (2件)：
H01L21/20 ,  H01L21/205
Fターム (36件)：
5F045AA04 ,  5F045AB01 ,  5F045AB14 ,  5F045AC07 ,  5F045AC12 ,  5F045AD16 ,  5F045AF09 ,  5F045AF12 ,  5F045DA53 ,  5F045HA06 ,  5F045HA16 ,  5F152LL03 ,  5F152LL05 ,  5F152LL09 ,  5F152LL10 ,  5F152LN03 ,  5F152LN04 ,  5F152LN13 ,  5F152LN14 ,  5F152LN22 ,  5F152MM18 ,  5F152NN02 ,  5F152NN03 ,  5F152NN04 ,  5F152NN05 ,  5F152NN06 ,  5F152NN07 ,  5F152NN09 ,  5F152NN10 ,  5F152NN11 ,  5F152NN12 ,  5F152NN13 ,  5F152NN27 ,  5F152NP09 ,  5F152NQ05 ,  5F152NQ09
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 特許3427047号公報
審査官引用 (10件)
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